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HotWorkingTechnology2017，Vo1．46，No．11

坩埚厚度对多晶硅定向凝固的影响

刘志辉，罗玉峰饶森林3,4，胡云龚洪勇，刘杰

(1．南昌大学机电工程学院，江西南昌330031；2．华东交通大学，江西南昌330013；3．新余学院新能源科学与_17-程

学院．江西新余338004；4．江西省高等学校硅材料重点实验室，江西新余338004)

摘要：运用ComsolMultiphysics有限元软件对多晶硅的定向凝固过程进行了模拟，分析了不同坩埚厚度(15、20、

25mm)对多晶硅熔化、结晶过程及晶体热应力的影响。结果表明：当坩埚厚度为15mln时，熔化所需要的时间最短，比

坩埚厚度为20mm和25mm时分别少31min和74min；结晶初期，坩埚厚度为25mln时的固液界面最为平坦，最有

利于晶体的生长；多晶硅晶体底部边缘和顶部边缘区热应力高；坩埚厚度为15mm时，晶体内热应力最大，且随着坩埚

厚度的增大．两个区域的应力都减小。

关键词：多晶硅；温度场；热应力；数值模拟

DOI：10．14158~．cnki．1001-3814．2017．11．020

中图分类号：TG244文献标识码：A文章编号：1001—3814(2017)11—0074—04

EffectsofCrucibleThicknessonDirectionalSolidificationofPolysilicon

LIUZhihui，LUOYufeng，RAOSenlin，HUYun，GongHongyong。，LIUJie

(1．SchoolofMechanicalandElectronicEngineering，NanchangUniversity，Nanchang330031，China；2．EastChinaJiaotong

University，Nachang330013，China；3．SchoolofNewEnergyScienceandEngineering，XinyuCollege，Xinyu338004，

China；4．KeyLaboratoryofUniversityinJiangxiforSiliconMaterials，Xinyu338004，China)

Abstract：ThedirectionalsolidificationprocessofpolysiliconwassimulatedbyusingthefiniteelementsoftwareComsol

Multiphysics，andtheeffectsofthecruciblethickness(15，20，25mm)onthemelting，crystallizationofpolysiliconandthe

thermalstressofthecrystalwereanalyzed．Theresultsshowthatwhenthecurciblethicknessis15mm．themeltingtimeisthe

shortest，whichis31minand74minlessthanhtatofhtecurciblewiththicknessof20mmand25mmrespectively．Whenthe

cruciblethicknessis25mm，thesolid—liquidinterfaceistheflattestattheinitialstageofcrystallization，whichisbeneficialto

htecrysatlgrowth．Thethermalsrtessesatbottomedgeandtopedgeofthepolysiliconcrysatlarehigh．Whenhtecurcible

thicknessis15mm，thehtermalsrtessismaximum．andwiththeincreaseofthecurciblethickness．thethermalsrtessesinthe

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