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2025年通信工程师半导体激光器工作原理与特性专题试卷及解析1

2025年通信工程师半导体激光器工作原理与特性专题试卷

及解析

2025年通信工程师半导体激光器工作原理与特性专题试卷及解析

第一部分：单项选择题（共10题，每题2分）

1、半导体激光器实现粒子数反转的条件是什么？

A、P型区掺杂浓度高于N型区

B、有源区载流子注入浓度超过透明载流子浓度

C、谐振腔反射率大于50%

D、工作温度低于室温

【答案】B

【解析】正确答案是B。粒子数反转是激光产生的必要条件，需要通过电流注入使

有源区的电子和空穴浓度达到并超过透明载流子浓度。A选项掺杂浓度影响载流子注

入效率但不是反转条件；C选项反射率影响阈值电流但不是反转条件；D选项温度影响

器件性能但不是反转条件。知识点：激光器基本原理。易错点：混淆掺杂浓度与载流子

浓度的概念。

2、DFB激光器与FP激光器的主要区别在于？

A、输出功率不同

B、波长稳定性不同

C、工作温度范围不同

D、封装形式不同

【答案】B

【解析】正确答案是B。DFB（分布式反馈）激光器通过内置光栅实现单纵模输出，

波长稳定性远优于FP（法布里珀罗）激光器。A、C、D选项都不是本质区别。知识点：

激光器类型比较。易错点：容易将次要差异当作主要区别。

3、半导体激光器的阈值电流随温度升高会？

A、保持不变

B、线性减小

C、指数增加

D、周期性变化

【答案】C

【解析】正确答案是C。温度升高会导致载流子泄漏增加、增益谱展宽、量子效率

下降，使阈值电流呈指数增长。A、B、D选项不符合实际物理规律。知识点：激光器

温度特性。易错点：误认为温度影响是线性的。

4、量子阱激光器相比体材料激光器的优势是？

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A、散热性能更好

B、阈值电流更低

C、制造工艺更简单

D、抗辐射能力更强

【答案】B

【解析】正确答案是B。量子阱结构通过载流子二维限制提高了增益系数，显著降

低阈值电流。A、C、D选项都不是量子阱的主要优势。知识点：量子阱激光器特性。易

错点：混淆不同结构激光器的优缺点。

5、半导体激光器的调制速率主要受限于？

A、驱动电路带宽

B、光纤色散

C、载流子寿命

D、环境温度

【答案】C

【解析】正确答案是C。载流子复合寿命决定了激光器的弛豫振荡频率，是调制速

率的基本限制因素。A、B、D选项也会影响实际系统性能但不是器件本身的限制。知

识点：激光器动态特性。易错点：容易将系统限制因素误认为器件限制因素。

6、激光器线宽压窄技术不包括？

A、外腔反馈

B、注入锁定

C、温度控制

D、增加驱动电流

【答案】D

【解析】正确答案是D。增加驱动电流会增强自发辐射耦合，反而使线宽展宽。A、

B、C都是有效的线宽压窄技术。知识点：激光器光谱特性。易错点：误认为所有参数

调整都能改善线宽。

7、垂直腔面发射激光器(VCSEL)的特点是？

A、输出功率高

B、单纵模输出

C、光束呈圆形

D、工作波长在1550nm

【答案】C

【解析】正确答案是C。VCSEL的圆柱形对称结构产生圆形光束，便于耦合。A、B、

D都不是VCSEL的典型特征。知识点：VCSEL特性。易错点：容易将边发射激光器

的特性误认为VCSEL特性。

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8、半导体激光器的热效应主要来源于？

A、环境温度

B、自发辐射

C、非辐射复合

D、光子吸收

【答案】C

【解析】正确答案是C。非辐射复合（如缺陷复合、俄歇复合）