探秘Ⅲ-Ⅴ族半导体量子点与量子阱复合结构纳米材料的光学特性.docxVIP

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2025-11-29 发布于上海
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探秘Ⅲ-Ⅴ族半导体量子点与量子阱复合结构纳米材料的光学特性.docx

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探秘Ⅲ-Ⅴ族半导体量子点与量子阱复合结构纳米材料的光学特性

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代光电子领域，半导体纳米材料凭借独特的物理性质，成为推动光电器件性能提升与创新应用的关键因素。Ⅲ-Ⅴ族半导体量子点和量子阱复合结构纳米材料，作为半导体纳米材料中的重要成员，由于其特殊的量子限域效应和能带结构，展现出卓越的光学性能，在光通信、光存储、激光器、探测器等众多光电子领域具有不可替代的重要性。

Ⅲ-Ⅴ族半导体量子点是准零维的纳米结构，其尺寸通常在1-100nm之间。当半导体材料的尺寸减小到量子点尺度时，电子在三个维度上的运动都受到限制，产生显著的量子限域效应。这种效应使得量子点