第九章光电器件.pptVIP

下图所示为一种用于光纤通信的表面发射红外光GaInAsPLED。光线由表面的中央区域发出，并导入光纤内。利用异质结(如GaInAsP-InP)可以提高效率，因为环绕在辐射性辐射区GaInAsP周围具有高约束的半导体InP会有约束载流子的作用。异质结亦可作为辐射线的光窗，因为高禁带宽度约束层不会吸收从低禁带宽度辐射区发出的辐射线。发光二极管单片镜片涂层AR接触-nm)75(~InP-nm衬底m)(1.0InP-nmm)(0.3)(GaInAsPm激活m)(1.0InP-pmm)(0.1GaInAsP-pm2SiOAuCr接触-pAu镀散热器Si单片镜片涂层AR接触-nm)75(~InP-nm衬底m)(1.0InP-nmm)(0.3)(GaInAsPm激活m)(1.0InP-pmm)(0.1GaInAsP-pm2SiOAuCr接触-pAu镀散热器Si第29页，共60页，星期日，2025年，2月5日半导体激光和固态红宝石激光及氦氖气体激光很相似，它们都能发出方向性很强的单色光束。不同之处在于半导体激光较其他激光体积小(长度约只有0.1mm)，而且在高频时易于调制，只需要调节偏电流即可。由于这些特性，所以半导体激光是光纤通信中最重要得光源之一。它可以应用于录像机，光学刻录机及高速激光打印机等。除此之外，它还广泛用于许多基础研究与技术领域，如高分辨率气体光谱学及大气污染监测等。所有会发出激光的半导体材料都具有直接禁带，这是可以理解的。因为直接禁带半导体的动量守恒，因此有较高的辐射性跃迁几率。目前的激光波长涵盖范围可从0.3μm到超过30μm。砷化镓是最先被发现可发出激光的材料，故与它相关连的Ⅲ-V族化合物合金也受到了广泛的研究。激光半导体材料半导体激光第30页，共60页，星期日，2025年，2月5日最重要的三种Ⅲ-V族化合物合金系统是GaxIn1-xAsyP1-y、GaxIn1-xAsySb1-y和AlxGa1-xAsySb1-y。下图所示为Ⅲ-V族二元，三元及四元化合物的禁带宽度与晶格常数的关系。若要做出可忽略界面陷阱的异质结构，则必须使两种半导体材料的晶格能紧密地匹配在一起。如果使用GaAs(a=0.56533nm)作为衬底，则三元化合物AlxGa1-xAs的晶格不匹配会小于0.1％．同样的，若使用InP(a=0.58687nm)作为衬底，则四元化合物GaxIn1-xAsyP1-y也可以达到很完美的晶格匹配。半导体激光第31页，共60页，星期日，2025年，2月5日图(a)表示三元化合物AlxGa1-xAs的禁带宽度是铝成分的函数。在x＜0.45时，此合金为直接禁带半导体，超过此值后则变成间接禁带半导体。图(b)显示折射率与铝成分的关系。当x=0.3时，AlxGa1-xAs的禁带宽度为1.789eV，它比GaAs大了0.365eV，而其折射率为3.385，比GaAs小了6％。这些都是在室温或高于室温的环境下，半导体激光作连续工作时的重要特性。半导体激光第32页，共60页，星期日，2025年，2月5日分布反转:为了增强激光工作所需的受激辐射，需要分布反转。考虑简并型半导体间形成的p-n结或异质结。这表示在结两端的掺杂能级甚高，以致于在p型区的费米能级EFV比价带的边缘还低，而在n型区的费米能级EFC则高于导带的边缘，如图。当外加一足够大的偏压时，会产生大注入的情况，亦即会有很高浓度的电子与空穴注入转移。结果在d区域中，导带有大量的电子而价带则拥有大量的空穴，这就是分布反转所需的条件。即：激光的工作原理半导体激光第33页，共60页，星期日，2025年，2月5日载流子与光学约束:如双异质结激光所示，由于双异质结势垒而使载流子在有源区的两端都被约束住，而同质结激光的载流子则可离开发生辐射性复合的有源区。在双异质结激光中，由于有源区外面的折射率骤然减小，会造成光场被约束在有源区内.右图是一个三层介质的波导管，其折射率分别为n1,n2和n3，其中有源层如三明治般被夹在两个约束层之间(a)。在n2n1n3的条件下，第一层和第二层界面(b)的光线角度θ12超过临界角。而第二层和第三层界面间的θ23也有相似的情况发生。因此当有源层的折射率大于周围的折射率时，光学辐射就被导引(约束)在与各层界面平行的方向上．半导体激光第34页