- 1、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
- 5、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
半导体行业半导体外延片研发工程师岗位招聘考试试卷及答案
填空题
1.半导体外延是指在______表面生长单晶薄膜的工艺。
2.硅外延最常用的衬底晶向是______。
3.MOCVD的中文全称是______。
4.外延层厚度的常用单位是______(写英文缩写)。
5.硅外延中n型掺杂的常见元素是______(写一种即可)。
6.外延界面常见的线缺陷是______。
7.气相外延的英文缩写是______。
8.影响外延层厚度均匀性的关键因素之一是______分布。
9.“磊晶”是______工艺的通俗叫法。
10.衡量外延层掺杂纯度的重要指标是______浓度。
单项选择题
1.MOCVD工艺中,金属有机源的主要作用是提供()
A.衬底加热B.半导体组元C.清洗气体D.压力控制
2.硅衬底清洗常用的“RCA清洗”主要去除()
A.有机污染物B.金属离子C.颗粒杂质D.以上都是
3.测量外延层掺杂浓度的常用方法是()
A.四探针法B.分光光度计C.气相色谱D.原子吸收
4.减少外延层位错缺陷的有效方法是()
A.降低生长温度B.提高衬底表面平整度C.增加掺杂浓度D.减少气体流量
5.SiC外延最常用的衬底材料是()
A.硅B.蓝宝石C.SiCD.砷化镓
6.外延生长速率最敏感的控制参数是()
A.反应室气压B.衬底温度C.气体总流量D.源材料纯度
7.应变外延层的关键要求是()
A.晶格常数完全匹配B.晶格失配小于1%C.衬底为非晶D.生长温度极高
8.P型硅外延的典型掺杂剂是()
A.磷B.硼C.砷D.锑
9.MOCVD相比LPE工艺的显著优势是()
A.设备成本低B.生长速率快C.层厚均匀性好D.前驱体无毒
10.测量外延层晶格匹配度的常用仪器是()
A.椭圆偏振仪B.X射线衍射仪(XRD)C.扫描电镜(SEM)D.傅里叶红外光谱(FTIR)
多项选择题
1.半导体外延的主要工艺类型包括()
A.MOCVDB.LPE(液相外延)C.VPE(气相外延)D.PVD(物理气相沉积)
2.外延衬底的基本要求有()
A.晶向准确B.缺陷密度低C.表面平整度高D.化学性质活泼
3.外延掺杂的常见方式包括()
A.原位掺杂B.离子注入C.化学蚀刻D.热扩散
4.影响外延层质量的工艺参数有()
A.生长温度B.反应室气压C.气体流量比D.衬底旋转速度
5.MOCVD系统的核心组件包括()
A.反应室B.气体输送系统C.加热模块D.尾气处理系统
6.外延层常见的缺陷类型有()
A.位错B.层错(堆垛层错)C.夹杂D.空位
7.SiGe外延层在器件中的应用包括()
A.heterojunctionbipolartransistor(HBT)B.MOSFET应变沟道C.太阳能电池D.发光二极管
8.衬底清洗工艺的关键步骤有()
A.氧化预处理B.化学蚀刻C.去离子水冲洗D.氮气吹干
9.外延层的表征技术包括()
A.X射线衍射(XRD)B.扫描电镜(SEM)C.二次离子质谱(SIMS)D.拉曼光谱
10.气相外延(VPE)常用的硅源气体有()
A.SiCl4B.SiH4C.GeH4D.Ga(CH3)3
判断题
1.半导体外延的核心是在衬底上生长与衬底晶格匹配的单晶层。()
2.MOCVD工艺仅能生长III-V族半导体材料(如GaAs、InP)。()
3.衬底表面的微小划痕不会影响外延层的晶体质量。()
4.外延层掺杂浓度越高,器件的电学性能越好。()
5.LPE(液相外延)是利用溶质在溶剂中的过饱和度生长单晶层的工艺。()
6.外延层的厚度可以通过肉眼直接观察判断。()
7.SiH4作为硅源时,其分解温度比SiCl4更低。()
8.X射线衍射(XRD)可以测量外延层的晶格常数匹配度。()
9.反应室压力越高,外延生长速率一定越快。()
10.堆垛层错(StackingFault)属于点缺陷。()
简答题
1.简述MOCVD工艺的基本工作原理。
2.选择外延衬底时需考虑哪些关键因素?
3.请列举两种提高外延层厚度均匀性的工艺优化方法。
4.SiGe外延层在现代半导体器件中的主要优势是什么?
讨论题
1.试比较MOCVD与LPE(液相外延)工艺在半导体外延中的优缺点及适用场景。
2.外延工艺中,原位掺杂浓度的控制难点是什么?请提出两种解决措施。
---
答案
填空题
1.单晶衬底2.(100)3.金属有机化学气相沉积4.μm5.磷(或砷、锑)6.位错7.VPE8.温度(或气流)9.外延10.载流子
单项选择题
1.B2.D3.A4.B5.C6.B7.B8.B9.C10.B
多项选择题
1.ABC2.ABC3.AB4.ABCD5.ABCD6.ABD7.AB8.ABCD9.ABCD10.AB
判断题
1.√2.×3.×4.×5.√6.×7.√8.√9.×1
您可能关注的文档
- 生物制造行业生物基材料研发工程师岗位招聘考试试卷及答案.doc
- 声学行业汽车音响声学调校师岗位招聘考试试卷及答案.doc
- 石材工程行业石材安装项目经理岗位招聘考试试卷及答案.doc
- 石材工程行业石材放射性检测员岗位招聘考试试卷及答案.doc
- 安防工程行业安防工程施工项目经理岗位招聘考试试卷及答案.doc
- 安防工程行业智能安防算法工程师岗位招聘考试试卷及答案.doc
- 保温工程行业保温材料阻燃测试员岗位招聘考试试卷及答案.doc
- 保温工程行业保温施工项目经理岗位招聘考试试卷及答案.doc
- 边缘计算行业边缘计算算法工程师岗位招聘考试试卷及答案.doc
- 玻璃工程行业玻璃安装项目经理岗位招聘考试试卷及答案.doc
- 玻璃工程行业玻璃防爆性能测试工程师岗位招聘考试试卷及答案.doc
- 充电桩行业交流充电桩安装工程师岗位招聘考试试卷及答案.doc
- 橱柜工程行业橱柜安装项目经理岗位招聘考试试卷及答案.doc
- 橱柜工程行业橱柜环保性能检测员岗位招聘考试试卷及答案.doc
- 储能技术行业储能电池 Pack 工程师岗位招聘考试试卷及答案.doc
- 传感器行业红外传感器研发工程师岗位招聘考试试卷及答案.doc
最近下载
- 最新部编版二年级语文上册12-坐井观天省公开课获奖课件市赛课比赛一等奖课件.pptx VIP
- 《马克思主义基本原理》练习题及答案.docx VIP
- 机械化氨水澄清槽的操作规程.pptx
- 二年级上册坐井观天附教学设计省公开课获奖课件说课比赛一等奖课件.pptx VIP
- 中小学生认识甲型H3N2流感:科学防控,守护健康.pptx VIP
- 部编版二年级上册——坐井观天附教学设计省公开课获奖课件说课比赛一等奖课件.pptx VIP
- 大便失禁患者护理操作规程及评分标准.docx VIP
- 旅行闯关游戏.pptx VIP
- 参考dhi mike教学合集21fm温排水.pdf VIP
- 导管的固定及护理.pptx VIP
原创力文档


文档评论(0)