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纳米硅量子点在MOS结构与非挥发性浮栅存储器中的研究与进展

一、引言

1.1研究背景与意义

随着信息技术的飞速发展，半导体器件和信息存储技术作为现代电子科技的核心支撑，正朝着高性能、小型化、低功耗的方向不断迈进。在这一发展进程中，纳米技术的兴起为相关领域带来了新的机遇与变革。纳米硅量子点作为一种新型的纳米材料，因其独特的量子尺寸效应、库仑阻塞效应以及优异的电学、光学性能，在金属-氧化物-半导体（MOS）结构及非挥发性浮栅存储器领域展现出巨大的研究价值和应用潜力。

在半导体器件中，MOS结构是构成各类集成电路的基本单元，其性能的优劣直接影响着芯片的整体性能。纳米硅量子点的引入能够有效