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2025年电子技术笔试题及答案

一、单项选择题（每题2分，共30分）

1.关于第三代半导体材料（如SiC、GaN）的特性，以下描述错误的是：

A.禁带宽度大于传统Si材料

B.击穿场强更高，适合高压应用

C.热导率低于Si材料，需更复杂散热设计

D.电子饱和漂移速度更快，适合高频器件

答案：C

2.某运放的开环差模增益为100dB，输入失调电压Vos=2mV，当接成同相比例放大电路（增益Av=100）时，输出端的失调电压约为：

A.0.2mV

B.200mV

C.2mV

D.20mV

答案：B（计算：输出失调电压=Vos×Av=2mV×100=200mV）

3.若8位ADC的参考电压为5V，其分辨率（最小可分辨电压）为：

A.5/256≈19.53mV

B.5/128≈39.06mV

C.5/64≈78.12mV

D.5/512≈9.77mV

答案：A（分辨率=Vref/(2?-1)≈5/255≈19.6mV，近似为5/256）

4.以下数字逻辑器件中，属于时序逻辑电路的是：

A.74HC138（3-8译码器）

B.74HC161（4位同步计数器）

C.74HC00（四2输入与非门）

D.74HC245（双向缓冲器）

答案：B

5.关于PN结反向击穿的描述，正确的是：

A.齐纳击穿发生在高掺杂PN结，击穿电压随温度升高而降低

B.雪崩击穿发生在低掺杂PN结，击穿电压随温度升高而升高

C.两种击穿均为不可逆过程，会导致器件损坏

D.稳压二极管工作于正向导通区

答案：A（B选项雪崩击穿温度系数为正，齐纳击穿温度系数为负；C选项可逆；D选项稳压管工作于反向击穿区）

6.某放大电路的幅频特性中，上限截止频率fH=10MHz，下限截止频率fL=100Hz，当输入信号频率为1MHz时，电压增益的幅值与中频增益相比：

A.下降3dB

B.基本不变

C.下降6dB

D.下降20dB

答案：B（1MHz处于中频区，增益基本不变）

7.用555定时器构成单稳态触发器时，触发脉冲的宽度应：

A.远大于暂稳态时间tw

B.远小于暂稳态时间tw

C.等于tw

D.无要求

答案：B（触发脉冲需窄于tw，否则无法正常触发）

8.以下关于I2C总线的描述，错误的是：

A.采用漏极开路输出，需上拉电阻

B.数据传输时，SCL为高电平期间SDA必须保持稳定

C.支持多主设备竞争，通过仲裁机制解决冲突

D.最高传输速率固定为100kbps

答案：D（I2C支持标准模式100kbps、快速模式400kbps、高速模式3.4Mbps等）

9.设计一个基于51单片机的温度检测系统，若使用DS18B20（单总线协议），单片机与传感器通信时需：

A.配置UART接口，设置波特率9600

B.配置I2C接口，设置从机地址

C.使用普通IO口模拟单总线时序

D.配置SPI接口，设置时钟极性

答案：C

10.开关电源中，电感的主要作用是：

A.滤波，存储和释放能量

B.隔离输入输出

C.提高功率因数

D.限制启动电流

答案：A

11.某二进制数101101对应的十进制数是：

A.45

B.43

C.47

D.53

答案：A（1×32+0×16+1×8+1×4+0×2+1×1=32+8+4+1=45）

12.以下关于差分放大电路的描述，错误的是：

A.抑制共模信号，放大差模信号

B.双端输出时，共模抑制比KCMR理论上为无穷大

C.单端输出时，KCMR取决于长尾电阻Re的大小

D.增大Re可提高共模抑制能力

答案：B（实际中由于元件不对称，KCMR有限）

13.若要设计一个截止频率为1kHz的二阶低通有源滤波器，最适合的运放类型是：

A.低输入偏置电流运放（如CA3140）

B.高速运放（如LM318）

C.低噪声运放（如AD797）

D.通用运放（如LM358）

答案：D（1kHz属于低频，通用运放足够）

14.以下关于场效应管（FET）的描述，正确的是：

A.JFET的输入电阻低于MOSFET

B.N沟道增强型MOSFET的开启电压为负

C.FET是电压控制器件，输入电流极小

D.FET的热稳定性比BJT差

答案：C（A选项JFET输入电阻约10?Ω，MOSFET更高；B选项N沟道增强型开启电压为正；D选项FE