第02章半导体二极管及其应用电路.pptVIP

第1页，共29页，星期日，2025年，2月5日2半导体二极管及其应用电路2.1PN结的基本知识2.2半导体二极管2.3二极管应用电路2.4特殊二极管2半导体二极管及其应用电路第2页，共29页，星期日，2025年，2月5日2.1PN结的基本知识2.1.1本征半导体及其导电性2.1.2杂质半导体2.1.3PN结及其单向导电性2.1.4PN结电容*第3页，共29页，星期日，2025年，2月5日图2.1.1本征半导体的共价键结构2.1.1本征半导体及其导电性2.1PN结的基本知识图2.1.2电子和空穴的移动1.本征半导体2.本征激发自由电子空穴复合自由电子空穴载流子:运载电荷的粒子*第4页，共29页，星期日，2025年，2月5日图2.1.3N型半导体的共价键结构2.1.2杂质半导体2.1PN结的基本知识图2.1.4P型半导体的共价键结构1.N型半导体掺入少量的五价元素磷P2.P型半导体掺入少量的三价元素硼B自由电子是多数载流子（简称多子）空穴是少数载流子（简称少子）空穴是多数载流子自由电子为少数载流子。*第5页，共29页，星期日，2025年，2月5日图2.1.5PN结的形成(a)载流子的扩散(b)空间电荷区(c)结区电位分布曲线2.1.3PN结及其单向导电性2.1PN结的基本知识1.PN结的形成*第6页，共29页，星期日，2025年，2月5日图2.1.6外加正向电压时的PN结图2.1.7外加反向电压时的PN结2.PN结的单向导电性2.1.3PN结及其单向导电性*第7页，共29页，星期日，2025年，2月5日图2.1.8PN结伏安特性3.PN结的伏安特性正向特性反向特性反向击穿特性倍增效应雪崩击穿齐纳击穿2.1.3PN结及其单向导电性*第8页，共29页，星期日，2025年，2月5日图2.1.9势垒电容与外加电压关系图2.1.10扩散电容效应(1)势垒电容CB(2)扩散电容CD2.1.4PN结电容2.1PN结的基本知识*第9页，共29页，星期日，2025年，2月5日2.2半导体二极管2.2.1二极管的结构2.2.2二极管的伏安特性2.2.3二极管的主要参数2.2.4二极管模型*第10页，共29页，星期日，2025年，2月5日图2.2.1半导体二极管的结构及符号(a)点接触型(b)面接触型(c)平面型(d)电路符号(a)(b)(d)(c)2.2.1二极管的结构2.2半导体二极管*第11页，共29页，星期日，2025年，2月5日图2.2.2硅二极管的2CP10的伏安特性图2.2.3锗二极管2AP15的伏安特性正向特性、反向特性、反向击穿特性2.2.2二极管的伏安特性2.2半导体二极管*第12页，共29页，星期日，2025年，2月5日图2.2.4温度对二极管特性曲线的影响示意图温度对二极管特性的影响*第13页，共29页，星期日，2025年，2月5日1.最大整流电流IF2.最高反向工作电压VRM3.反向电流IR4.极间电容Cd5.最高工作频率fM2.2.3二极管的主要参数2.2半导体二极管图2.2.3锗二极管2AP15的伏安特性*第14页，共29页，星期日，2025年，2月5日表2.2.1几种国产半导体二极管参数（1）2AP1~7检波二极管（点接触型锗管，在电子设备中作检波和小电流整流用）参数型号最大整流电流最高反向工作电压(峰值)反向击穿电压(反向电流为400?A)正向电流(正向电压为1V)反向电流(反向电压分别为10,100V)最高工作频率极间电容mAVVmA?AMHzpF2AP11620≥40≥2.5≤250150≤12AP712100≥150≥5.0≤250150≤1*第15页，共29页，星期日，2025年，2月5日参数型号最大整流电流最高反向工作电压(峰值)最高反向工作电压下的反向电流(125℃)正向压降(平均值)(25℃