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AlGaN/GaNHEMT器件欧姆接触技术：原理、挑战与突破

一、引言

1.1研究背景与意义

随着现代电子技术的飞速发展，对电子器件的性能要求日益提高。在众多半导体器件中，AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）凭借其卓越的性能，在现代电子领域占据了举足轻重的地位。AlGaN/GaNHEMT器件具有宽禁带、高电子迁移率、高饱和电子速度和高击穿电场强度等优异特性，使其在高频、大功率应用中展现出巨大的优势，成为了研究热点。

在5G通信时代，基站需要能够处理高频信号且具备高功率输出能力的器件，以实现高速、稳定的数据传输。AlGaN/GaNHEMT器件的高电子迁移率和高功率密度特性，使其能够满足5G基站对射频功率放大器的严格要求，有效提高信号传输的覆盖范围和质量。在雷达系统中，无论是军事领域的高精度探测雷达，还是民用领域的气象雷达、汽车雷达等，都需要具备高功率、高频性能的器件来实现远距离目标探测和精确的目标识别。AlGaN/GaNHEMT器件能够在这些应用中发挥关键作用，提升雷达系统的性能。

欧姆接触技术作为影响AlGaN/GaNHEMT器件性能的关键因素，对器件的性能有着至关重要的影响。欧姆接触电阻的大小直接关系到器件的导通电阻、源漏输出电流、功率损耗以及工作效率等关键性能指标。若欧姆接触电阻过高，会导致器件在工作过程中产生大量的热量，增加功率损耗，降低工作效率，甚至可能影响器件的可靠性和稳定性，限制器件在高频、大功率应用中的性能发挥。因此，深入研究AlGaN/GaNHEMT器件的欧姆接触技术，对于降低欧姆接触电阻，提高器件性能，推动其在现代电子领域的广泛应用具有重要的现实意义。通过优化欧姆接触技术，可以有效降低器件的导通电阻，提高源漏输出电流，降低功率损耗，提高工作效率，从而满足5G基站、雷达等领域对高性能器件的迫切需求。

1.2AlGaN/GaNHEMT器件概述

AlGaN/GaNHEMT器件的基本结构较为复杂，它通常以蓝宝石、碳化硅（SiC）或硅（Si）等材料作为衬底层，衬底层主要起到支撑整个器件结构的作用。在衬底层之上是GaN缓冲层，该缓冲层能够有效缓解衬底与上层材料之间的晶格失配问题，减少缺陷的产生，为后续的外延生长提供良好的基础。接着是GaN沟道层，这是电子传输的主要通道，对器件的电学性能有着关键影响。再往上是AlGaN势垒层，由于AlGaN和GaN两种材料的能带结构差异，在AlGaN势垒层和GaN沟道层之间会形成二维电子气（2DEG），这是AlGaN/GaNHEMT器件实现高电子迁移率的关键所在。在AlGaN势垒层上，通过光刻、刻蚀等一系列微加工工艺，制作出源极（S）、栅极（G）和漏极（D），这些电极与二维电子气相连，实现对器件电流的控制。

其工作原理基于二维电子气的形成和输运特性。由于AlGaN和GaN之间的自发极化和压电极化效应，在异质结界面处会诱导出高密度的二维电子气。当在源极和漏极之间施加电压（VDS）时，沟道内会产生横向电场，二维电子气在这个横向电场的作用下，沿异质结界面进行输运，从而形成漏极输出电流IDS。而栅极电压（VGS）的作用则是通过改变AlGaN/GaN异质结中势阱的深度，来调控沟道中二维电子气面密度的大小，进而实现对沟道内漏极输出电流的有效控制。当栅极电压变化时，势阱深度相应改变，二维电子气的浓度也随之变化，从而影响电流的大小。

在高频应用方面，如5G基站中的射频功率放大器，AlGaN/GaNHEMT器件凭借其高电子迁移率和高饱和电子速度，能够在高频段实现高效的信号放大和处理，有效提高通信系统的传输速率和覆盖范围。在大功率应用领域，如雷达发射机中的功率放大器，其高击穿电场强度和高功率密度特性，使其能够承受高电压和大电流，输出高功率信号，满足雷达远距离探测的需求。

1.3研究目标与内容

本研究旨在深入探究AlGaN/GaNHEMT器件的欧姆接触技术，通过一系列实验和理论分析，降低欧姆接触电阻，提高接触稳定性，从而提升器件的整体性能。具体研究内容涵盖多个方面：

欧姆接触材料的选择与优化：深入研究不同金属材料以及金属组合作为欧姆接触电极的特性，如常用的钛（Ti）、铝（Al）、镍（Ni）、金（Au）等金属及其合金。通过理论计算和实验测试，分析不同材料与AlGaN/GaN界面的相互作用机制，研究其对肖特基势垒高度、接触电阻等关键参数的影响，筛选出最适合的欧姆接触材料组合。

欧姆接触工艺的研究与改进：对欧姆接触的制备工艺，如电子束蒸发、磁控溅射、热退火等工艺进行深入研究。探索不同工艺参数，如蒸发速率、溅射功率、退火温度和时间等对欧姆接触性能的影响规律。通过优化工艺参数，改善欧姆接