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CMOS工艺兼容的硅基PERL型LED：技术、性能与应用前景

一、引言

1.1研究背景与意义

在信息技术飞速发展的当下，微电子技术与光电子技术作为信息技术的两大重要支柱，其融合趋势愈发显著。微电子技术以硅基CMOS大规模集成电路（LSI）、超大规模集成电路（VLSI）为主体，在过去几十年间取得了巨大的发展，推动了电子设备的小型化、高性能化以及成本的降低。然而，随着“摩尔”定律对集成电路集成度、数据传输速率和容量要求的不断提高，芯片上的电互连逐渐接近极限，信号传输延迟、功耗增加以及电磁干扰等问题日益凸显。

与此同时，光电子技术以其高带宽、高速率、低功耗和高并行等特性，为解决上述问题提供了新的途径。光作为信息载体，在传输过程中具有更低的损耗和更高的速度，能够满足未来高速、大容量信息传输的需求。然而，目前光电子技术主要以Ⅲ-Ⅴ族等化合物器件为主体，这些化合物材料与硅基微电子技术所使用的材料不同，导致两者在集成过程中面临诸多挑战，如工艺复杂、结构复杂、体积较大、寄生效应较大以及性能较差等问题。

硅材料作为微电子领域的基础材料，具有资源丰富、成本低、工艺成熟以及与CMOS工艺兼容性好等优势。因此，发展硅基光电器件成为实现微电子与光电子技术深度融合、构建先进信息技术的关键。硅基光电器件能够在同一硅基芯片上实现光信号的产生、传输、调制和探测等功能，有望突破电互连的限制，实现芯片内部和芯片之间的高速光通信，从而大幅提升集成电路的性能。

在众多硅基光电器件中，PERL型LED具有独特的优势和重要的研究价值。PERL（PassivatedEmitterRearLocallyDiffused）型LED即钝化发射极背面局部扩散型发光二极管，它通过改进PERL型太阳能电池结构实现侧面小面积发光设计，采用单侧注入n型层形成p-n结结构，利用p-n结正向注入原理实现硅基发光。这种结构的LED具有与CMOS工艺兼容的特性，能够方便地与硅基CMOS集成电路相结合，为实现光电子单片集成提供了可能。此外，PERL型LED的发光面采用倒金字塔绒面结构，与金属背反射电极形成光陷阱，能够有效提高发光功率和电光转换效率，增强辐射复合几率，减少表面复合和接触电导损失。因此，研究与CMOS工艺兼容的硅基PERL型LED，对于推动硅基光电子技术的发展，实现微电子与光电子的高效集成，具有重要的理论意义和实际应用价值。

1.2国内外研究现状

国内外对于硅基发光器件的研究已历经多年，取得了一系列重要成果，但在与CMOS工艺兼容和发光效率提升方面仍存在诸多挑战。

在国外，一些研究团队致力于探索新的材料体系和器件结构，以实现硅基发光器件与CMOS工艺的更好兼容。例如，美国的研究人员通过对硅锗（SiGe）材料的研究，发现SiGe量子阱结构在一定程度上能够改善硅基发光器件的性能，并且其制备工艺与CMOS工艺具有一定的兼容性。然而，这种结构的发光效率仍然较低，难以满足实际应用的需求。欧洲的研究机构则专注于开发新型的发光机制，如利用纳米结构的量子限制效应来增强硅基材料的发光效率。他们通过制备硅纳米线、量子点等结构，在提高发光效率方面取得了一些进展，但在与CMOS工艺的集成过程中，仍然面临着工艺复杂、成本较高等问题。

在国内，众多科研院校和企业也积极投身于硅基发光器件的研究。南开大学的研究团队在离子注入的硅pn结LED方面取得了重要成果，利用硼离子注入的位错环吸杂效应，将间接带硅体材料pn结LED的量子效率提高了三个量级，达到0.15％。天津工业大学则在与CMOS工艺兼容的硅基PERL型LED研究方面开展了大量工作，通过改进PERL型太阳能电池结构，设计出新型的PERL硅基LED器件结构，实现了侧面小面积发光，提高了发光功率和电光转换效率。然而，目前国内的研究在器件的稳定性和可靠性方面还需要进一步提高，以满足大规模生产和实际应用的要求。

总体而言，虽然国内外在硅基发光器件，特别是与CMOS工艺兼容的PERL型LED方面取得了一定的研究成果，但仍然存在一些不足之处。例如，现有器件的发光效率普遍较低，难以满足高速光通信等应用场景对光功率的要求；部分器件的结构和制造工艺复杂，导致成本较高，不利于大规模生产；此外，器件的稳定性和可靠性也有待进一步提升，以确保其在长期使用过程中的性能稳定。因此，进一步深入研究与CMOS工艺兼容的硅基PERL型LED，探索提高其发光效率、降低成本以及增强稳定性和可靠性的方法，具有重要的研究意义和实际应用价值。

1.3研究内容与方法

本研究聚焦于与CMOS工艺兼容的硅基PERL型LED，旨在