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集成电路制造技术-原理与工艺课后习题答案试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（每题2分，共20分）

1.在集成电路制造中，硅（Si）的晶体结构属于？

A.金刚石结构

B.石墨结构

C.立方晶格结构

D.六方晶格结构

2.用于隔离半导体器件的有源区，通常采用哪种工艺在器件有源区周围形成场氧化层？

A.CVD沉积

B.热氧化

C.干法刻蚀

D.离子注入

3.光刻工艺中，将图形从掩膜版转移到光刻胶上的过程称为？

A.沉积

B.刻蚀

C.曝光

D.显影

4.在离子注入工艺中，用于控制注入离子束能量的组件是？

A.靶材

B.加速电极

C.离子源

D.质量分析器

5.通常用于形成电路互连金属层的工艺是？

A.化学气相沉积

B.磁控溅射

C.热氧化

D.离子注入

6.在湿法刻蚀中，选择性指的是？

A.刻蚀速率越快越好

B.对不同材料的刻蚀速率差异越大越好

C.刻蚀后材料纯度越高越好

D.刻蚀设备越先进越好

7.以下哪种材料通常用作集成电路器件的栅介质层？

A.二氧化硅（SiO2）

B.氮化硅（Si3N4）

C.硅锗（SiGe）

D.氮化硅和二氧化硅都可以，但前者更优

8.集成电路制造过程中，需要将晶圆从外延生长炉中取出并进行后续处理的步骤称为？

A.外延生长

B.晶圆清洗

C.坯件处理

D.工艺间传送

9.提供集成电路制造洁净环境的基础是？

A.超纯水系统

B.干法气体供应系统

C.良好洁净室（Cleanroom）

D.自动化搬运系统

10.用于测量半导体材料电阻率的仪器是？

A.光谱仪

B.欧姆表

C.转移电子显微镜（TEM）

D.四探针测试仪

二、填空题（每空2分，共20分）

1.集成电路制造通常在超纯水环境下进行，其中对水质电阻率的要求通常在_______欧姆·厘米以上。

2.光刻胶根据其成分和性能，主要分为正胶和负胶，其中对基板表面要求相对较低的是_______胶。

3.离子注入后，为了使注入的杂质能激活并进入晶格位置，通常需要进行_______工艺。

4.形成金属互连线时，为了实现层间连接，常常需要沉积一层_______层。

5.在热氧化工艺中，若在氮气氛围下进行，通常生成的氧化层是_______氧化硅。

6.刻蚀工艺根据物理化学原理不同，可分为干法刻蚀和_______刻蚀两大类。

7.MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件中的“栅”是由_______材料构成的。

8.CVD（化学气相沉积）工艺根据前驱体状态不同，可分为气相CVD和_______CVD。

9.集成电路制造过程中，晶圆的搬运和传输通常在_______保护下进行。

10.用于图形转移的掩膜版，根据透光/不透光特性，可分为全透光掩膜版和_______掩膜版。

三、简答题（每题5分，共15分）

1.简述光刻工艺的基本流程。

2.简述离子注入工艺中，影响注入离子最终在硅片中浓度分布的主要因素。

3.简述化学气相沉积（CVD）工艺的基本原理及其主要优点。

四、计算题（共15分）

假设进行一次离子注入，入射离子为砷（As），加速电压为U=50kV，离子质量m=7.92x10^-26kg，电荷量q=1.6x10^-19C。请计算：

（1）离子注入时的初始动能E_k(单位：eV)；

（2）离子进入硅片时的初始速度v(单位：m/s)。（可使用非相对论动能公式E_k=1/2*m*v^2）

五、论述题（10分）

论述氧化工艺在集成电路制造中的多重作用，并简述热氧化和化学气相沉积氧化（如SiH4氧化）在原理、产物和应用上的主要区别。

试卷答案

一、选择题

1.C

2.B

3.C

4.B

5.B

6.B

7.D

8.C

9.C

10.D

二、填空题

1.18MΩ·cm

2.正

3.退火

4.硅化物

5.氮

6.湿法

7.金属

8.凝胶

9.干燥氮气

10.全不透光（或称全吸收）

三、简答题

1.简述光刻工艺的基本流程：

解析思路：光刻是集成电路制造中形成微小图形的关键步骤。其