《SJT 11491-2015短基线红外吸收光谱法测量硅中间隙氧含量》(2025年)实施指南.pptxVIP

;目录;;硅中间隙氧含量直接影响半导体器件性能，行业对精准测量需求迫切。传统长基线法易受背景干扰，化学分析法操作繁琐且破坏样品。短基线法弥补前者干扰缺陷与后者破坏性问题，契合半导体行业高效精准检测趋势，成为标准首选方法。;（二）短基线红外吸收光谱法的技术优势与标准确立依据;（三）标准核心逻辑与行业应用价值的深度关联;;;;;;红外吸收光谱法的基本原理与间隙氧特征识别;;;;;01;;取样的代表性原则与标准化取样流程;;;;测量前的仪器校准与环境条件控制;（二）样品测量的分步操作流程与关键控制点;;;标准规定的数据处理算法与公式应用解析;（二）数据修约与有效数字的规范处理要求;;;准确性验证的标准样品对比法与加标回收试验;重复性用相对标准偏差（RSD）衡量，同一实验室同一样品多次测量RSD≤3%；再现性为不同实验室间偏差≤8%。判定标准符合GB/T6379.2-2004要求，若不达标，需排查仪器、样品及操作流程问题。;（三）测量结果可靠性的提升策略与质量保障体系;;;;;;半导体行业技术升级对测量精度的新需求分析;激光红外光谱、同步辐射等新技术涌现，其测量速度快、精度高，但仪器成本高。建议标准未来增加“替代方法验证条款”，明确新技术与标准方法的比对要求。同时，纳入智能化数据处理算法，适应自动化生产需求。