脉冲偏压占空比和放置状态对大颗粒分布规律的影响.pdfVIP

HotWorkingTechnology2015，Vo1．44，No．4

脉冲偏压占空比和放置状态对大颗粒

分布规律的影响

魏永强1,2,3刘建伟2文振华2’蒋志强，2田修波

(1．郑州航空工业管理学院机电工程学院，河南郑,rl1450015；2．航空制造及装备河南省高校工程技术研究中心，河南

郑州450015：3．哈尔滨工业大学先进焊接与连接国家重点实验室，黑龙江哈尔滨1500011

摘要：利用电弧离子镀方法在201不锈钢基体上制备了TiN薄膜．研究了脉冲偏压占空比和基体放置状态对大

颗粒形貌和分布规律的影响。采用扫描电镜观察了TiN薄膜的表面形貌，利用ImageJ图像软件对Ti大颗粒的数目和

尺寸进行了分析。结果表明：在工艺参数相同情况下，转动时TiN薄膜表面的大颗粒数目较多；随脉冲偏压占空比的增

大，薄膜表面的大颗粒数目迅速降低，当占空比为4O％时，大颗粒所占的面积比达到最小值，分别为静止时的1，9％和转

动时的6．8％，为最佳的占空比值。

关键词：电弧离子镀；TiN；脉冲偏压；大颗粒；占空比

DoI：10．141580．cnki．1OOl一3814．2015．04．O37

中图分类号：TG174文献标识码：A文章编号：1001—3814(2015)04．0134-04

InfluenceofPulsedBiasDUtyCycleandPlacementStateon

DistributionRuleOfMacrOparticles

WEIYongqiang，，LJianwei一，WENZhenhua一，JLNGZhiqiang一，TIANXiubo

(1．SchoolofMechatronicsEngineering，ZhengzhouInstituteofAeronauticalIndustryManagement，Zhengzhou450015，

China；2．EngineeringTechnologyResearchCe~erofAviationManufacturing＆~quipment，UniversityofHennaProvince，

Zhengzhou450015，China；3．StateKeyLaboratoryofAdvnacedWeldingnadJoining，HarbinInstituteofTechnology，Harbin

150001，China)

Abstract：TNifilmsweredepositedon201satinlesssteelsubstrateswithdifferentplacementstateandpulsedbiasduyt

cyclebyarcionplatnigmethod，nadthemorpholoygnaddistributionofmacroparticles(MPs)werefocusedon．Thesurface

moprhologiesofTiNfilmswereobservedbySEM．TheamountnadsizeofTi~VlPswerenaalyzedbyscientificimagesoftware

ImageJ．Theexperimenatlresultsshowthatwhenhtesubstrateisroattingandwithhtesameprocessparmaeters，hteamountof

MPsonhteTiNfilmsurfaceislagerthanstatics．Wihthteincreaseofpulsedbiasduytcycle，hteamountofMPsonhtefilm

surfacedecreasesrapidly．Theduytcycle40％ishteoptimumduytcyclevahe．ThearearatioofIViesreachesaminimum：