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基于PMNT单晶的磁电复合材料特性及其在磁传感器中的应用研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代科技飞速发展的时代，对高性能材料和传感器的需求日益增长。基于铌镁酸铅-钛酸铅（PMNT）单晶的磁电复合材料及磁传感器因其独特的性能，在众多领域展现出了巨大的应用潜力，成为了研究的热点。

磁电复合材料是一种将磁致伸缩材料与压电材料复合而成的新型功能材料，它通过磁致伸缩效应和压电效应的乘积效应，能够实现磁场与电场之间的有效耦合，产生磁电效应。这种效应为发展新一代高性能的磁电功能器件提供了可能，使得磁电复合材料在磁场探测、电-磁能量转换、信息存储、微波泄露检测等领域具有重要应用价值。

PMNT单晶作为一种高性能的弛豫铁电单晶，具有超高压电性能，其压电常量d33可达2000pC/N以上，d15可以达到6000pC/N，机电耦合系数k33可达到90％以上。与传统的压电陶瓷材料相比，PMNT单晶具有更高的压电活性、机电耦合系数和更低的介电损耗，这使得基于PMNT单晶的磁电复合材料在磁电转换效率和性能稳定性方面具有明显优势。

磁传感器作为检测磁场及其变化的关键器件，在生物医学、先进制造、能源勘探、航空航天等众多领域发挥着至关重要的作用。例如，在生物医学领域，用于检测生物磁场，辅助疾病诊断；在先进制造中，实现对加工过程的精确控制；在能源勘探里，助力探测地下资源等。基于PMNT单晶磁电复合材料的磁传感器，能够将磁场信号转换为电信号输出，具有高灵敏度、宽频带、低能耗、小尺寸等优点，有望满足这些领域对新型高性能磁传感器的迫切需求，推动相关技术的进步和产业的发展。

对基于PMNT单晶的磁电复合材料及磁传感器的研究，不仅有助于深入理解磁电耦合的物理机制，丰富材料科学和凝聚态物理的理论知识，而且对于开发新型高性能磁电功能器件，拓展其在各个领域的应用，提高我国在相关领域的技术水平和国际竞争力，都具有重要的理论意义和实际应用价值。

1.2国内外研究现状

国内外学者对PMNT单晶磁电复合材料和磁传感器展开了大量研究。在PMNT单晶的制备方面，中国科学院上海硅酸盐研究所的罗豪甦团队在国际上率先采用改进Bridgman方法生长出了大尺寸高质量PMNT单晶，尺寸达到φ40×70mm，晶片尺寸为20×20×1mm，其主要性能表现出色，介电常数ε～5000，介电损耗tanδ0.9%，压电系数d331500pC/N，机电耦合系数k33～94%。美国H.C.Materials公司也成功制备出PMNT单晶，并在产业化方面取得了显著成果，其产品占据了世界市场70%份额。

在磁电复合材料的研究中，学者们致力于探索不同的制备工艺和结构设计，以提高磁电效应。荷兰Philips实验室早在1972年就通过原位复合的方法，将铁磁相CoFe2O4与铁电相BaTiO3混在一起共熔制得了第一个磁电复合材料，但该方法存在相反应导致杂相产生，降低磁电性能的问题。后来，Ryu等报道了Tb0.27-0.30Dy0.73-0.70Fe1.90-1.95(Terfenol-D)和PZT陶瓷的三明治结构，其磁电系数达到10300mV/cm.Oe，引起了广泛关注。对于基于PMNT单晶的磁电复合材料，国外已有初步研究表明Terfenol-D/PMNT复合材料具有优异的磁电性能，磁电系数aE达到10.3V/cm.Oe，比其他的0-3复合或者单相磁电材料提高了80多倍，且具有超高的磁场灵敏度。国内也有众多科研团队开展相关研究，不断优化复合材料的性能和制备工艺。

在磁传感器的研发上，基于PMNT单晶磁电复合材料的磁传感器成为研究热点。中国科学院上海硅酸盐研究所的研究团队针对磁电型弱磁传感器研制中的关键科学问题，如异质结磁电材料界面与磁-弹-电耦合机理、磁电复合材料的磁电响应及噪声形成机制等展开研究，制备出了具有高灵敏度、宽频带、低能耗、小尺寸等特点的新一代磁电型弱磁传感器，其灵敏度0.8pT/√Hz@1Hz，比禁运磁通门高出5倍，功耗仅为其2%。国外在磁传感器的研究中，也在不断提升传感器的性能和拓展应用领域。

当前研究仍存在一些不足与空白。在磁电复合材料方面，磁电耦合机理的研究还不够深入，对材料微观结构与宏观性能之间的关系认识有待进一步深化，制备工艺还需进一步优化以实现大规模工业化生产。在磁传感器领域，传感器的稳定性和可靠性仍需提高，与信号处理电路的集成度较低，在复杂环境下的适应性研究还不够充分，针对特定应用场景的定制化传感器研发也相对滞后。

1.3研究内容与方法

本研究围绕基于PMNT单晶的磁电复合材料及磁传感器