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氮化镓材料在传感器中的应用

■文/洪

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氮化镓（GaN）是直接宽带隙半元，员工人数达63000人。其的也利用GaN元器件进行了升级。

导体材料，属于第3代。相较于GaN材料技术的研发和创新已达19技术投入十多年造就了目前AMDR

硅、砷化镓等，GaN的禁带宽度更大、击年，并已投资超过2亿。雷神公司的高性能和高可靠性。新一代分布

穿电场强度更高,具有更高的电子饱和于2016年2月在“爱国者”防空和式接收激励器和自适应数字波束成

度和漂移速率、更强的抗辐照能力以及防御系统上成功演示了GaN基形的开发，测试和生产都利用大功

较强的化学稳定性。氮化镓材料与硅、砷有源相（ActiveElectronically率GaN。AMDR的GaN元件

化镓材料的电子性能对比如表1所示。ScannedArray，AESA）技术原型。该比砷化镓(GaAs）替代品的成本要低

目前GaN工艺成熟，已经技术可与未来开放架构（如综合防34%。与目前的AN/SPY-1D

能够利用GaN制造出结构复杂的器空和防御系统）协同工（V相比，AMDR了更大的

件。GaN基紫外探测器由于在可见光作，并兼容目前的爱国者系统，还检测范围，更高的识别精度，更高的可

和红外光范围内都没有响应，其在可可完全与北约实现相互操作。GaN基靠性和可持续性，并降低了总拥有成

见光和红外光背景下的紫外光探测具AESA技术是未来地面传感器的发展本。该系统采用称为模块化组件

有极大的优势。GaN材料制造的传感方向，这些技术除了能够在未来实现（RadarModularAssemblies，RMA）

器相较其他材料传感器也表现出更加360°感知覆盖外，还将扩展防御范的单个“构建块”构建。每个RMA是一

优秀的性质，因而在紫外探测、生物化围，并减少探测、辨别和消除的时个（2×2×2）英寸的独立。这些单

学探测方面都获得了广泛应用。间，以及改善的可靠性和降低全独的RMA可以堆叠在一起形成

周期成本。F-22、F-35及轰任何尺寸的阵列，以适应各种船舶任务

一、GaN在紫外探测领域炸机都了该型号的AESA。在要求，使AMDR成为首个真正可

1.雷神公司的下一代防空与扩展的。

目前使用的许多，尤其是采综合（Integratedairand2.探测

用有源相列天线的，在其结构missiledefenseradar，AMDR）上高级研究计划局

中都使用了GaN材料。然而，科学

家现在已经把GaN视为未来设

2AdvancedMaterialsIndustry

计制造的材料。

随着GaN技术的成熟和生产成本

的下降，美、欧已将GaN纳入下一代装

备的研制。雷神公司（Raytheon）

是一家专注于、民政和

解决方案的技术和创新者。2016

年雷神公司销售额达到240亿美

表1硅、砷化镓基氮

化镓主要电学性质参数

比较

性质