半导体二极管及其电路.pptVIP

ViVR时，二极管导通，vo=vi。ViVR时，二极管截止，vo=VR。例2：理想二极管电路中vi=VmsinωtV，求输出波形v0。解：第29页，共54页，星期日，2025年，2月5日3.开关电路利用二极管的单向导电性可作为电子开关vI1vI2二极管工作状态D1D2v00V0V导通导通导通截止截止导通截止截止0V5V5V0V5V5V0V0V0V5V例11：求vI1和vI2不同值组合时的v0值（二极管为理想模型）。解：第30页，共54页，星期日，2025年，2月5日4、在检波电路中的应用（无线通信）用音频信号去控制高频信号的幅值音频信号高频信号载波信号调制的过程Otuu1tOu2Ot音频放大器话筒高频振荡器调制器发射器u2u1u不讲第31页，共54页，星期日，2025年，2月5日第32页，共54页，星期日，2025年，2月5日2.2稳压二极管2.2.1稳压二极管的伏安特性特点a.正向特性与普通管类似稳压管通常工作于反向电击穿状态伏安特性–+iZuZuZQBAOUZiZIZ?UZ?IZ符号b.反向击穿特性很陡第33页，共54页，星期日，2025年，2月5日(1)稳定电压VZ(2)动态电阻rZ在规定的稳压管反向工作电流IZ下，所对应的反向工作电压。rZ=?VZ/?IZ(3)最大耗散功率PZM(4)最大稳定工作电流IZmax和最小稳定工作电流IZmin稳压条件：IZminIZIZmax2.2.2稳压二极管主要参数第34页，共54页，星期日，2025年，2月5日温度每变化1?C时UZ的相对变化率。即UZ6V管子出现雪崩击穿，αU为正；UZ4V出现齐纳击穿，αU为负;4VUZ6V，αU可能为正，也可能为负。（5）温度系数定义：第35页，共54页，星期日，2025年，2月5日硅稳压管稳压电路第36页，共54页，星期日，2025年，2月5日不讲第37页，共54页，星期日，2025年，2月5日第38页，共54页，星期日，2025年，2月5日半导体二极管及其电路第1页，共54页，星期日，2025年，2月5日2.1半导体二极管1.半导体二极管的结构2.二极管的伏安特性

3.二极管的参数4.二极管的等效模型5.二极管应用电路本节要掌握以下五个内容第2页，共54页，星期日，2025年，2月5日2.1.1、半导体二极管的结构在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极管。二极管按结构分有点接触型、面接触型和平面型三大类。(1)点接触型二极管PN结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。(a)点接触型二极管的结构示意图第3页，共54页，星期日，2025年，2月5日(3)平面型二极管往往用于集成电路制造艺中。PN结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。(2)面接触型二极管PN结面积大，用于工频大电流整流电路。(b)面接触型(c)平面型(4)二极管的代表符号第4页，共54页，星期日，2025年，2月5日半导体二极管图片第5页，共54页，星期日，2025年，2月5日第6页，共54页，星期日，2025年，2月5日第7页，共54页，星期日，2025年，2月5日2.1.2半导体二极管的伏安特性硅管00.8反向特性正向特性击穿特性00.8反向特性锗管正向特性uDiD第8页，共54页，星期日，2025年，2月5日(1)近似呈现为指数曲线，即(2)有死区（iD≈0的区域)1．正向特性死区电压约为硅管0.5V锗管0.1VOiD正向特性击穿电压死区电压U(BR)反向特性uD第9页，共54页，星期日，2025年，2月5日(3)导通后（即uD大于死区电压后）管压降uD约为硅管0.6~0.8V锗管0.2~0.3V通常近似取uD硅管0.7V锗管0.2VOiD正向特性击穿电压死区电压U(BR)反向特性uD即uD略有升高，iD急剧增大。第10页，共54页，星期日，2025年，2月5日第三讲第11页，共54页，星期日，20