Zn掺杂p型β-Ga2O3纳米线：催化生长机制、特性及应用前景.docx

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2025-12-08 发布于上海
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Zn掺杂p型β-Ga2O3纳米线：催化生长机制、特性及应用前景

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体材料的蓬勃发展进程中，β-Ga2O3作为一种极具潜力的宽禁带半导体材料，正逐渐崭露头角，吸引了众多科研人员的目光。其禁带宽度高达4.5-4.9eV，具备高击穿电场、优异的化学稳定性以及良好的热稳定性等一系列卓越特性，这些特性使得β-Ga2O3在光电器件、传感器、功率器件等多个领域展现出广阔的应用前景。在光电器件领域，其对特定波长光的敏感特性，有望用于制造高效的紫外探测器，在安防监控、环境监测等方面发挥重要作用；在传感器领域，凭借其对某些气体分子的特殊吸附和电学响应特性，