GB/T 46717-2025半导体器件　金属化空洞应力试验.pdf

ICS31.080.01

CCSL40

中华人民共和国国家标准

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GBT467172025IEC624182010

半导体器件金属化空洞应力试验

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SemiconductordevicesMetallizationstressvoidtest

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IEC624182010IDT

2025-10-31发布2026-05-01实施

国家市场监督管理总局

发布

国家标准化管理委员会

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GBT467172025IEC624182010

目次

前言…………………………Ⅲ

1范围………………………1

2规范性引用文件…………………………1

3术语和定义………………1

4试验设备…………………1

5测试结构…………………1

5.1测试结构图形………………………1

5.2线形图形……………1

5.3通孔链图形…………………………1

6应力温度…………………2

7程序………………………2

7.1空洞应力评估方法……………………2

7.2电阻测量法…………………………2

7.3外观检查法…………………………3

8失效判据…………………3

8.1电阻测量法…………………………3

8.2外观检查法…………………………3

()……………

9数据分析及寿命外推仅用于电阻测量法3

10规定条件和报告…………………………5

10.1电阻测量法…………………………5

10.2外观检查法…………………………6

()………