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传感器实验报告
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国开电大传感器与测试技术实验报告
实验成绩(20%,需要教师批阅
实验成绩
5次实验分别为:
实验 1:温度测量:热电阻、热电偶、集成温度传感器;
实验 2:位移测量: 电容式位移测量、电感式位移测量、光电式位移测量;
实验 3:流量测量;
实验 4:基于 CMOS 图像传感器的图像测量;
实验 5:虚拟仪器实验。
实验一 金属箔式应变片——单臂电桥性能实验
实验目的
了解金属箔式应变片的应变效应,单臂电桥工作原理和性能。
实验原理
电阻丝在外力作用下发生机械变形时,其电阻值发生变化,这就是电阻应变效应,描述电阻应变效应的关系式为:
ΔR/R=Kε
式中ΔR/R为电阻丝电阻相对变化,K为应变灵敏系数,ε=ΔL/L为电阻丝长度相对变化,金属箔式应变片就是通过光刻、腐蚀等工艺制成的应变敏感元件,通过它转换被测部位受力状态变化、电桥的作用完成电阻到电压的比例变化,电桥的输出电压反应了相应的受力状态。对单臂电桥输出电压U01=EKε/4。
实验器材
应变式传感器实验模板、应变式传感器、砝码、数显表、±15V电源、±4V电源、万用表(自备)。
实验步骤
实验中用到的应变传感器实验模板连接图如 REF _Ref339064282 \h 图 1 应变式传感器单臂电桥实验连接图 REF _Ref339064294 \h 图 1所示。
图 SEQ 图 \* ARABIC 1 应变式传感器单臂电桥实验连接图
安装传感器,将IC1和IC2的同相端接地后,调节Rw4使得数显表显示为0后(即将差动放大器调0),再将电路的电桥部分按图中所示接入电路后,调节Rw1,使数显表为0。然后在电子称上放置砝码读取数显表的数值,依次增加砝码和读取相应的数显表值。
实验结果与分析
实验结果如 REF _Ref339104407 \h 表格 1所示。
表格 SEQ 表格 \* ARABIC 1 单臂电桥性能实验数据记录表
重量(g)
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
电压(mv)
4.6
8.8
14.2
18.8
23.6
28.5
33.3
37.7
42.5
47.3
由以上实验结果知:
平均电压变化量:
?u=[(28.5-4.6)/5+(33.3-8.8)/5+(37.7-14.2)/5+(42.5-18.8)/5+(47.3-23.6)/5]/5≈4.77mv
平均重量变化量:?W=20g
系统灵敏度:S1=?u/?W=0.2386mv/g
线性误差:
=≈0.67%-
思考题
单臂电桥时,作为桥臂电阻应变片的选用时正、负应变片均可使用,换成负应变片时,所得的电压值为负值,需做一定的变换后方能比较直观。
总结与感想
本次实验让我了解了应变片的以及单臂电桥的工作原理,并对单臂电桥的性能有了一个定量的了解,这对后续学习将会有较大帮助。
实验二 金属箔式应变片——半桥性能实验
实验目的
比较半桥与单臂电桥的不同性能,了解其特点。
实验原理
不同受力方向的两片应变片接入电桥作为邻边,电桥输出灵敏度提高,非线性得到改善。当两片应变片阻值和应变量相同时,其桥路输出电压U02=EK/ε2。
实验器材
同实验一。
实验步骤
同实验一,将差动放大器调0,电桥部分如 REF _Ref339104035 \h 图 2所示,其他与实验一同。
图 SEQ 图 \* ARABIC 2 半桥实验接线图
接入电源,调节调零电位器Rw1进行桥路调零,然后在电子称上放置砝码读取数显表的数值,依次增加砝码和读取相应的数显表值。
实验结果与分析
实验结果如 REF _Ref339104625 \h 表格 2所示。
表格 SEQ 表格 \* ARABIC 2 半桥性能实验数据记录表
重量(g)
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
电压(mv)
-9.0
-18.5
-28.1
-37.2
-46.6
-56.3
-65.2
-75.1
-84.4
-95.4
由以上实验结果知:
输出电压变化量的平均值:
?u=[(-56.3+9.0)/5+(-65.2+18.5)/5+(-75.1+28.1)/5+(-84.4+37.2)/5+(-95.4+46.6)/5]/5=-9.48mv
平均重量变化量:?W=20g
系统灵敏度:S2=?u/?W=-0.474mv/g。
非线性误差:
≈0.59%。
思考题
半桥测量时两片不同受力状态的电阻应变片接入电桥时,应放在邻边,因为这样可以保证电桥输出电压值达到最大,若在对边,则得到的输出电压值最小。
桥路测量时存在非线性误差,是因为应变片应变效应是非线性的,其中单臂桥路的非线性还与其测量方法有关。
总结与感想
本实验让我对半桥电路
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