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2025年《电子技术基础》知识考试题库及答案解析

单位所属部门:________姓名:________考场号:________考生号:________

一、选择题

1.二极管正向导通电压通常为()

A.0.1V

B.0.5V

C.0.7V

D.1.0V

答案:C

解析:二极管正向导通电压指其正向导通时所需的最低电压。硅二极管的正向导通电压通常为0.7V左右,锗二极管则为0.3V左右。题目中未指明具体类型,一般默认为硅二极管,故选0.7V。

2.三极管工作在放大区时,其发射结和集电结分别处于()

A.均正向偏置

B.均反向偏置

C.发射结正向偏置,集电结反向偏置

D.发射结反向偏置,集电结正向偏置

答案:C

解析:三极管要实现放大作用,其发射结必须正向偏置,以提供发射极电流,集电结必须反向偏置,以将大部分发射极注入的载流子拉入集电区形成集电极电流。这种偏置方式称为共发射极接法。

3.电阻R1和R2串联接在电压U上,R1R2,则R1和R2两端电压之比U1:U2为()

A.1:1

B.R1:R2

C.R2:R1

D.1:R1R2

答案:B

解析:串联电路中各处电流相等。根据欧姆定律U=IR,电阻两端的电压与电阻成正比。由于R1R2,故U1/U2=R1/R2。

4.电容C在直流稳态电路中相当于()

A.开路

B.短路

C.电阻

D.电感

答案:A

解析:电容具有隔直通交的特性。在直流稳态下,电路中的电压和电流不再变化,电容两端电压保持不变(等于初始电压),此时电容相当于开路,因为其电压无法突变。

5.交流电的有效值等于其最大值的()

A.0.5倍

B.0.707倍

C.1.414倍

D.2倍

答案:B

解析:交流电的有效值(RMS值)是其瞬时值的平方在一个周期内积分后再开方得到的。对于正弦交流电,有效值等于最大值除以√2,约等于0.707倍。

6.放大电路的输入电阻是指()

A.输出信号源内阻

B.输出端接负载时的等效电阻

C.输入信号源内阻

D.输入端看进去的等效电阻

答案:D

解析:输入电阻是指从放大电路的输入端看进去的交流等效电阻,它反映了输入信号源向放大电路提供信号的能力。输入电阻越大,信号源提供的电流越小,信号衰减越少。

7.滤波电路的作用是()

A.提高电路的功率

B.降低电路的效率

C.选择性通过某些频率成分,抑制其他频率成分

D.增大电路的阻抗

答案:C

解析:滤波电路利用电容、电感等元件对不同频率信号的阻碍作用,将信号中需要保留的频率成分通过,而将不需要的频率成分衰减或阻止,从而达到滤波的目的。

8.晶体管开关电路中,截止状态是指()

A.基极电流最大

B.集电极电流最大

C.基极电压接近0V

D.集电极和发射极之间近似开路

答案:D

解析:晶体管开关电路中,截止状态是指通过基极的电流很小(理想为零),使得集电极电流也非常小(理想为零),相当于集电极和发射极之间断开,呈现高阻态,如同一个断开的开关。

9.数字电路的基本逻辑门不包括()

A.与门

B.或门

C.非门

D.乘法器

答案:D

解析:与门、或门、非门是数字电路中最基本的三种逻辑门,它们构成了各种复杂逻辑电路的基础。乘法器是模拟电路或数字系统中的一种运算电路,不是基本逻辑门。

10.集成电路按制造工艺可分为()

A.TTL和CMOS

B.数字和模拟

C.大规模和超大规模

D.有源和无源

答案:A

解析:集成电路按制造工艺和结构可分为多种类型,其中TTL(晶体管-晶体管逻辑)和CMOS(互补金属氧化物半导体)是最常见的两大类。它们在制造工艺、电气特性、功耗等方面有显著区别。其他选项分类方式不准确:数字和模拟是按功能分类,大规模和超大规模是按集成度分类,有源和无源是按电路元件分类。

11.在RC串联电路中,输出电压从电容两端取出时,该电路属于()

A.低通滤波电路

B.高通滤波电路

C.带通滤波电路

D.带阻滤波电路

答案:B

解析:RC串联电路中,电容的容抗XC=1/(2πfC)。当信号频率f增加时,XC减小。输出电压取自电容两端,即Uc=Vin*Xc=Vin/(2πfC)。可见,频率越高,输出电压越大。因此,该电路具有高通特性,即允许高频信号通过,衰减低频信号。

12.晶体管饱和状态通常要求()

A.发射结反向偏置,集电结反向偏置

B.发射结正向偏置,集电结正向偏置

C.发射结正向偏置,集电结反向偏置,且基极电流足够大

D.发射结反向偏置,集电结正向偏置

答案:C

解析:晶体管要进入饱和状态,必须满足发射结正向偏置和集电结正向偏置的外部条件。更重要的是,需要提供足够大的基极电流Ib,使得基极电流远大于维持放大状态

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