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2025年《电子技术基础》知识考试题库及答案解析
单位所属部门:________姓名:________考场号:________考生号:________
一、选择题
1.二极管正向导通电压通常为()
A.0.1V
B.0.5V
C.0.7V
D.1.0V
答案:C
解析:二极管正向导通电压指其正向导通时所需的最低电压。硅二极管的正向导通电压通常为0.7V左右,锗二极管则为0.3V左右。题目中未指明具体类型,一般默认为硅二极管,故选0.7V。
2.三极管工作在放大区时,其发射结和集电结分别处于()
A.均正向偏置
B.均反向偏置
C.发射结正向偏置,集电结反向偏置
D.发射结反向偏置,集电结正向偏置
答案:C
解析:三极管要实现放大作用,其发射结必须正向偏置,以提供发射极电流,集电结必须反向偏置,以将大部分发射极注入的载流子拉入集电区形成集电极电流。这种偏置方式称为共发射极接法。
3.电阻R1和R2串联接在电压U上,R1R2,则R1和R2两端电压之比U1:U2为()
A.1:1
B.R1:R2
C.R2:R1
D.1:R1R2
答案:B
解析:串联电路中各处电流相等。根据欧姆定律U=IR,电阻两端的电压与电阻成正比。由于R1R2,故U1/U2=R1/R2。
4.电容C在直流稳态电路中相当于()
A.开路
B.短路
C.电阻
D.电感
答案:A
解析:电容具有隔直通交的特性。在直流稳态下,电路中的电压和电流不再变化,电容两端电压保持不变(等于初始电压),此时电容相当于开路,因为其电压无法突变。
5.交流电的有效值等于其最大值的()
A.0.5倍
B.0.707倍
C.1.414倍
D.2倍
答案:B
解析:交流电的有效值(RMS值)是其瞬时值的平方在一个周期内积分后再开方得到的。对于正弦交流电,有效值等于最大值除以√2,约等于0.707倍。
6.放大电路的输入电阻是指()
A.输出信号源内阻
B.输出端接负载时的等效电阻
C.输入信号源内阻
D.输入端看进去的等效电阻
答案:D
解析:输入电阻是指从放大电路的输入端看进去的交流等效电阻,它反映了输入信号源向放大电路提供信号的能力。输入电阻越大,信号源提供的电流越小,信号衰减越少。
7.滤波电路的作用是()
A.提高电路的功率
B.降低电路的效率
C.选择性通过某些频率成分,抑制其他频率成分
D.增大电路的阻抗
答案:C
解析:滤波电路利用电容、电感等元件对不同频率信号的阻碍作用,将信号中需要保留的频率成分通过,而将不需要的频率成分衰减或阻止,从而达到滤波的目的。
8.晶体管开关电路中,截止状态是指()
A.基极电流最大
B.集电极电流最大
C.基极电压接近0V
D.集电极和发射极之间近似开路
答案:D
解析:晶体管开关电路中,截止状态是指通过基极的电流很小(理想为零),使得集电极电流也非常小(理想为零),相当于集电极和发射极之间断开,呈现高阻态,如同一个断开的开关。
9.数字电路的基本逻辑门不包括()
A.与门
B.或门
C.非门
D.乘法器
答案:D
解析:与门、或门、非门是数字电路中最基本的三种逻辑门,它们构成了各种复杂逻辑电路的基础。乘法器是模拟电路或数字系统中的一种运算电路,不是基本逻辑门。
10.集成电路按制造工艺可分为()
A.TTL和CMOS
B.数字和模拟
C.大规模和超大规模
D.有源和无源
答案:A
解析:集成电路按制造工艺和结构可分为多种类型,其中TTL(晶体管-晶体管逻辑)和CMOS(互补金属氧化物半导体)是最常见的两大类。它们在制造工艺、电气特性、功耗等方面有显著区别。其他选项分类方式不准确:数字和模拟是按功能分类,大规模和超大规模是按集成度分类,有源和无源是按电路元件分类。
11.在RC串联电路中,输出电压从电容两端取出时,该电路属于()
A.低通滤波电路
B.高通滤波电路
C.带通滤波电路
D.带阻滤波电路
答案:B
解析:RC串联电路中,电容的容抗XC=1/(2πfC)。当信号频率f增加时,XC减小。输出电压取自电容两端,即Uc=Vin*Xc=Vin/(2πfC)。可见,频率越高,输出电压越大。因此,该电路具有高通特性,即允许高频信号通过,衰减低频信号。
12.晶体管饱和状态通常要求()
A.发射结反向偏置,集电结反向偏置
B.发射结正向偏置,集电结正向偏置
C.发射结正向偏置,集电结反向偏置,且基极电流足够大
D.发射结反向偏置,集电结正向偏置
答案:C
解析:晶体管要进入饱和状态,必须满足发射结正向偏置和集电结正向偏置的外部条件。更重要的是,需要提供足够大的基极电流Ib,使得基极电流远大于维持放大状态
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