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半导体芯片制造中级复习题试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（每题2分，共20分）

1.在半导体制造中，以下哪一项不属于FEOL（前端制造）的主要工艺步骤？

A.光刻

B.化学机械抛光（CMP）

C.离子注入

D.薄膜沉积

2.光刻工艺中，定义图形在光刻胶上精确复制的最小特征尺寸通常称为？

A.线宽

B.空隙宽

C.线边粗糙度

D.线宽粗糙度（CDRU）或临界尺寸（CD）

3.以下哪种刻蚀技术属于湿法刻蚀？

A.等离子体刻蚀

B.干法刻蚀

C.化学腐蚀

D.离子束刻蚀

4.在离子注入工艺中，用于提高注入离子能量的部件是？

A.离子源

B.加速器

C.聚焦透镜

D.碰撞室

5.下列哪种薄膜沉积技术通常能够实现原子级精度的厚度控制？

A.等离子体增强化学气相沉积（PECVD）

B.物理气相沉积（PVD）

C.化学气相沉积（CVD）

D.原子层沉积（ALD）

6.半导体器件制造中，退火的主要目的是什么？

A.增加材料电阻率

B.减少薄膜应力

C.激活离子注入的杂质，形成导电层

D.以上都是

7.BEOL（后端制造）中，金属层之间进行平坦化处理主要采用什么技术？

A.氧化

B.沉积

C.化学机械抛光（CMP）

D.刻蚀

8.在半导体制造过程中，导致器件良率下降的主要原因通常不包括？

A.工艺参数漂移

B.设备故障

C.操作人员经验不足

D.原材料纯度足够高

9.洁净室级别通常用字母表示，其中级别要求最低的是？

A.ISO1

B.ISO5

C.ISO7

D.ISO9

10.以下哪种材料通常用作半导体器件的绝缘层？

A.铝（Al）

B.硅（Si）

C.氮化硅（SiN）

D.硅dioxide(SiO2)

二、填空题（每空2分，共20分）

1.半导体制造通常在一个高度受控的_________环境中进行，以最大限度地减少微粒污染。

2.光刻胶根据其溶解性可分为正胶和负胶，正胶在曝光区域更容易_________（填“溶解”或“不溶解”）。

3.离子注入后，通常需要进行_________退火，以使注入的离子移动到平衡位置并激活其导电性。

4.化学机械抛光（CMP）是一种结合了化学_________和机械_________的抛光技术。

5.在薄膜沉积过程中，薄膜的_________和_________是两个关键的表征参数。

6.半导体制造中常见的缺陷类型包括颗粒、划伤、凹坑和_________。

7.硅片在进入光刻机之前，必须经过严格的_________，以去除表面污染物。

8._________是指在特定工艺条件下，能够获得合格器件的最大工艺参数范围。

9.金属化层在半导体器件中主要用作_________和_________的通路。

10.原子层沉积（ALD）技术具有极佳的_________控制能力和_________。

三、简答题（每题5分，共15分）

1.简述光刻工艺的基本步骤及其顺序。

2.解释什么是离子注入的“注入能量”和“注入剂量”，并说明它们对器件性能可能产生的影响。

3.简述化学机械抛光（CMP）工艺需要解决的关键技术挑战。

四、论述题（每题10分，共20分）

1.试论述薄膜沉积工艺（以CVD为例）中，工艺温度、压力、气体流量等关键参数对薄膜厚度和物理性能（如应力、均匀性）可能产生的影响。

2.结合你对该领域的理解，论述提高半导体芯片制造良率的主要途径和方法。

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试卷答案

一、选择题

1.B

2.D

3.C

4.B

5.D

6.D

7.C

8.D

9.D

10.D

二、填空题

1.洁净室

2.溶解

3.激活

4.腐蚀/磨削

5.厚度/均匀性

6.空洞

7.清洗

8.工艺窗口

9.电气连接/信号传输

10.厚度/化学成分

三、简答题

1.光刻工艺的基本步骤及其顺序：

*涂胶：在晶圆表面旋涂一层光刻胶（正胶或负胶）。

*前烘：通过加热去除光刻胶中残留的溶剂，提高其附着力、抗蚀性。

*对准：将晶圆放置