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- 2025-12-09 发布于四川
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选择题专项练(四)高考总复习优化设计GAOKAOZONGFUXIYOUHUASHEJI2025
12345678910一、单项选择题:本题共7小题,每小题4分,共28分。每小题只有一个选项符合题目要求。1.(2024广东汕头一模)半导体掺杂对于半导体工业有着举足轻重的作用,其中一种技术是将掺杂源物质与硅晶体在高温(800到1250摄氏度)状态下接触,掺杂源物质的分子由于热运动渗透进硅晶体的表面,温度越高掺杂效果越显著,下列说法正确的是()A.这种渗透过程是自发可逆的B.硅晶体具有光学上的各向同性C.这种渗透过程是分子的扩散现象D.温度越高掺杂效果越好是因为温度升高时,所有分子的热运动速率都增加C
12345678910解析掺杂源物质的分子由于热运动渗透进硅晶体的表面,所以这种渗透过程是分子的扩散现象,该过程为自发过程,其逆过程不能自发进行,故A错误,C正确;由于硅晶体的晶格结构,硅晶体具有光学上的各向异性,故B错误;温度越高掺杂效果越好是因为温度升高时,分子的平均速率增大,并不是所有分子的热运动速率都增加,故D错误。
123456789102.某古法榨油中的一道工序是撞榨,即用重物撞击楔子压缩油饼。如图所示,质量为50kg的重物用一轻绳与固定点O连接,O与重物重心间的距离为4m,某次将重物移至轻绳与竖直方向成37°角处,由静止释放,重物运动到最低点时与楔
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