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AlGaN基深紫外激光器材料MOCVD生长：原理、工艺与挑战

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今科技飞速发展的时代，深紫外激光器作为一种具有独特性能的光电器件，在众多领域展现出了不可或缺的重要性。其发射的深紫外光，波长通常在200-280nm之间，这一特性赋予了深紫外激光器在多个关键领域的独特应用价值。

在医疗卫生领域，深紫外光具有强大的杀菌消毒能力。它能够直接破坏细菌、病毒等微生物的DNA或RNA结构，从而有效杀灭各种病原体，降低感染风险。在医院的病房、手术室以及医疗器械消毒等场景中，深紫外激光器的应用可以极大地保障患者和医护人员的健康。在抗击新冠疫情期间，深紫外光源的消毒设备就发挥了重要作用，为疫情防控提供了有力支持。在水和空气净化领域，深紫外激光器同样发挥着关键作用。在水处理过程中，深紫外光能够破坏水中有害微生物的DNA结构，实现对水体的高效消毒净化，有效去除水中的细菌、病毒和藻类等有害物质，为人们提供安全可靠的饮用水。将深紫外激光器与空气过滤系统相结合，可以分解空气中的有害微生物，如流感病毒、细菌孢子等，显著改善室内空气质量，特别是在人员密集的场所，如商场、机场、学校等，其空气净化效果尤为显著，有助于预防呼吸道传染病的传播，守护公众的健康。

在工业和科研领域，深紫外激光器也有着广泛的应用。在光刻技术中，深紫外激光器作为光源能够实现更高分辨率的图形转移，满足半导体制造等行业对高精度加工的需求，推动集成电路技术的不断发展。在生化检测中，深紫外光可用于激发荧光物质，实现对生物分子和化学物质的高灵敏度检测，在生物医学研究、食品安全检测等方面发挥着至关重要的作用。在紫外光固化领域，深紫外激光器能够快速固化油墨、涂料等材料，提高生产效率，广泛应用于印刷、涂装等工业生产中。

AlGaN基材料由于其宽禁带特性，成为制备深紫外激光器的关键材料，为实现深紫外发光提供了可能。然而，当前AlGaN基深紫外激光器的发展面临着诸多挑战。AlGaN材料体系中，Al和Ga完全互溶，载流子局域化弱，这导致了器件的限阈特性不佳，影响了器件的性能。在AlGaN基深紫外激光器的结构中，存在着诸如量子阱内部的量子限制斯塔克效应、电子溢流、电流拥挤效应以及p-GaN层对深紫外光的强吸收等问题。量子限制斯塔克效应致使电子和空穴的波函数在实空间分离，降低了辐射复合效率；电子溢流使得电子越过多量子阱层进入p型层，与空穴发生非辐射复合，减少了参与发光的载流子数量；电流拥挤效应导致电流分布不均匀，局部电流密度过高，产生过多热量，影响器件的稳定性和寿命；p-GaN层对深紫外光的强吸收则造成了光损耗，降低了光提取效率。这些问题综合起来，使得AlGaN基深紫外激光器的外量子效率普遍较低，光输出功率不足，工作电压高，热稳定性和长期可靠性差，严重限制了其在各个领域的广泛应用和性能提升。

金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术作为一种先进的材料生长技术，在AlGaN基深紫外激光器材料的制备中具有重要地位。通过精确控制反应气体的流量、温度和压力等参数，MOCVD技术能够实现高质量的AlGaN基材料外延生长。深入研究AlGaN基深紫外激光器材料的MOCVD生长，对于解决当前深紫外激光器面临的问题，提高器件性能具有至关重要的意义。通过优化MOCVD生长工艺，可以有效降低材料中的位错密度，提高晶体质量，从而改善器件的性能。合理调整生长参数，能够精确控制AlGaN层的组分和厚度，优化器件结构，增强载流子的利用效率，提高辐射复合效率。研究MOCVD生长过程中的各种因素对材料性能的影响，还能够为开发新型的电极结构和光提取技术提供理论支持，进一步提高光提取效率，提升器件的光输出功率。

对AlGaN基深紫外激光器材料的MOCVD生长进行研究，不仅能够推动深紫外激光器技术的发展，使其性能得到大幅提升，满足不同领域对高性能深紫外光源的需求，还能够促进相关产业的发展，如医疗卫生、环保、半导体制造等，为社会的发展和人们生活质量的提高做出重要贡献。因此，本研究具有重要的理论意义和实际应用价值。

1.2国内外研究现状

AlGaN基深紫外激光器材料的MOCVD生长研究在国内外都受到了广泛关注，取得了一系列重要进展。

国外在这一领域的研究起步较早，在材料生长、器件结构设计和制备工艺等方面积累了丰富的经验，处于技术领先地位。美国的科研机构和企业在该领域成果显著，Cree公司通过优化MOCVD技术，成功生长出高质量的高Al组分AlGaN材料，有效降低了材料中的位错密度，为提高器件性能奠定了坚实基础。在器件结构设计方面，美国的一些研究团队提出了多量子阱（MQW）结构优化、电子阻挡层（EBL）设计改进