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基于CVD技术的二硫化钼新型器件制备与性能研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今科技飞速发展的时代，新型电子器件的研发对于推动信息技术的进步具有至关重要的作用。随着传统硅基器件逐渐逼近其物理极限，寻找具有优异性能的新型材料成为了电子领域的研究热点。二硫化钼（MoS?）作为一种典型的二维过渡金属硫族化合物，因其独特的原子结构和物理性质，在新型器件应用方面展现出了巨大的潜力。

二硫化钼具有层状结构，层内钼原子与硫原子通过强共价键结合，而层间则通过较弱的范德华力相互作用。这种特殊的结构赋予了MoS?一系列优异的性能，如可调带隙特性（块体MoS?带隙约为1.2eV，单层MoS?带隙约为1.8eV），使其在半导体器件应用中具有明显优势，可弥补石墨烯零带隙的不足，有望成为下一代高性能晶体管的基础材料。同时，MoS?还具有较高的载流子迁移率、良好的光学性能以及出色的机械柔韧性，这些特性使得它在光电器件（如光电探测器、发光二极管等）、传感器、柔性电子器件等领域展现出广阔的应用前景。

化学气相沉积（CVD）法作为一种常用的材料制备技术，在二硫化钼的制备中发挥着重要作用。CVD法能够精确控制反应条件，实现对二硫化钼薄膜的生长层数、形貌、尺寸以及晶体质量的有效调控，从而制备出高质量、大面积的二硫化钼薄膜，满足不同器件应用的需求。通过CVD法制备的二硫化钼薄膜，具有良好的结晶性和均匀性，其原子级的平整表面有利于与其他材料集成，为构建高性能的新型器件提供了可能。

本研究基于CVD二硫化钼展开新型器件的制备及研究，旨在深入探索CVD法制备二硫化钼的工艺优化，以及所制备二硫化钼在新型器件中的应用性能，为二维材料在电子器件领域的实际应用提供理论支持和技术参考，推动新型电子器件的发展，具有重要的科学研究价值和实际应用意义。

1.2国内外研究现状

在国外，众多科研团队在CVD二硫化钼新型器件制备及研究方面取得了丰硕成果。美国的一些研究机构通过优化CVD工艺参数，成功制备出大面积、高质量的单层二硫化钼薄膜，并将其应用于高性能场效应晶体管的制备。这些晶体管展现出了较高的开关比和载流子迁移率，为实现下一代高性能集成电路提供了潜在的解决方案。例如，斯坦福大学的研究人员通过改进CVD生长方法，精确控制了二硫化钼薄膜的生长取向和晶界结构，显著提高了器件的电学性能。在光电器件方面，韩国的科研团队利用CVD制备的二硫化钼薄膜制备出高灵敏度的光电探测器，其在紫外-可见光波段表现出快速的光响应和低噪声特性，在光通信和光电成像等领域具有潜在的应用价值。

在国内，相关研究也呈现出蓬勃发展的态势。中国科学院物理研究所的科研团队利用自主设计搭建的四英寸多源化学气相沉积设备，采用立式生长方法在蓝宝石衬底上外延制备出四英寸高质量连续单层二硫化钼晶圆。所制备的晶圆具有高定向的大晶粒结构，且电子学质量达到国际先进水平。在此基础上，他们进一步优化器件加工工艺，成功实现了大面积二硫化钼柔性晶体管及逻辑器件的制作，器件表现出优异的功能特性和柔韧性，为柔性电子器件的发展提供了新的思路与技术基础。厦门大学的二维材料物性调控课题组则通过改进传统CVD系统，首次将高活性易水解的二氯二氧化钼作为钼源，并引入过渡温区，实现了低温条件下（360℃）多种衬底上的高质量二硫化钼制备。由此晶体构筑的场效应晶体管器件性能与传统高温工艺制备的相当，为二硫化钼在集成电路等领域的实际应用提供了新策略。

尽管国内外在CVD二硫化钼新型器件制备及研究方面已取得了显著进展，但目前仍存在一些问题亟待解决。例如，CVD制备二硫化钼的工艺复杂度较高，制备成本相对昂贵，限制了其大规模工业化生产。此外，二硫化钼与衬底及电极之间的界面兼容性问题，以及器件的长期稳定性和可靠性等方面，还需要进一步深入研究。

1.3研究内容与方法

本研究围绕基于CVD二硫化钼的新型器件制备及研究展开，主要内容包括以下几个方面：

CVD制备二硫化钼工艺研究：系统研究CVD制备二硫化钼过程中，钼源、硫源、反应温度、载气流量、反应时间等工艺参数对二硫化钼薄膜生长质量（如层数、晶体结构、表面形貌、缺陷密度等）的影响规律。通过优化工艺参数，制备出高质量、大面积、均匀性好的二硫化钼薄膜。

二硫化钼材料表征：运用多种先进的材料表征技术，如扫描电子显微镜（SEM）、原子力显微镜（AFM）、拉曼光谱（Raman）、X射线衍射（XRD）、光致发光光谱（PL）等，对制备的二硫化钼薄膜进行全面的结构和性能表征。深入分析薄膜的微观结构、晶体质量、光学性质以及电学性能，为后续器件制备和性能研究提供材料基础数据。

基于CVD二硫化钼的新型器件制备：利用制备的高质量二硫化钼薄膜，开展新型器件的制