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分数阶忆阻混沌电路的动力学特性与滑模控制策略研究.docxVIP

分数阶忆阻混沌电路的动力学特性与滑模控制策略研究.docx

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    分数阶忆阻混沌电路的动力学特性与滑模控制策略研究

    一、引言

    1.1研究背景与意义

    在当今科技飞速发展的时代，非线性电路系统的研究一直是学术界和工程领域的热点话题。忆阻器作为一种新兴的电子元件，自被提出以来，因其独特的记忆特性和丰富的非线性行为，在众多领域展现出了巨大的应用潜力，成为了研究人员关注的焦点。

    忆阻器最早由蔡绍棠于1971年从理论上预言，它是一种能够记忆流经电荷量的二端元件，其电阻值会随着流过的电流或电压的历史而发生变化，这种特性使得忆阻器在电路中能够产生丰富的动态行为，如混沌、超混沌等。直到2008年，惠普实验室成功制造出世界上第一个物理忆阻器，才使得忆阻器从理论走向了

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