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自旋转矩与全相对论自旋极化：基于第一原理与EMTO方法的深度探究

一、引言

1.1研究背景与意义

自旋电子学作为一门新兴的交叉学科，旨在利用电子的自旋属性来实现信息的存储、处理和传输，相较于传统的电子学，自旋电子学器件不仅有望大幅降低能耗，还能显著提升信息处理的速度和存储密度，为未来信息技术的发展开辟新的道路。自旋转矩和自旋极化作为自旋电子学中的核心概念，对于理解和调控自旋相关的物理过程至关重要。

自旋转矩描述的是自旋极化电流与磁性材料相互作用时，对磁矩产生的力矩作用。这一效应为磁矩的操控提供了全新的途径，与传统的磁场操控方式相比，自旋转矩操控具有更低的能耗和更快的响应速度，因此在自旋电子学器件中展现出了巨大的应用潜力。例如，在磁随机存取存储器（MRAM）中，自旋转矩可用于实现磁矩的快速翻转，从而提高存储单元的读写速度和降低功耗；在自旋扭矩振荡器（STO）中，自旋转矩能够驱动磁矩的持续振荡，产生高频微波信号，为无线通信和雷达技术等领域提供了新型的微波源。

自旋极化则是指材料中电子自旋向上和自旋向下的分布存在差异，这种差异导致材料具有净自旋磁矩，进而展现出与自旋相关的物理性质。自旋极化是自旋电子学器件实现功能的基础，如在磁性隧道结（MTJ）中，通过自旋极化电子的隧穿效应实现电阻的变化，从而用于信息的存储和读取；在自旋场效应晶体管（Spin-FET）中，利用自旋极化电子的输运特性来控制电流的大小和方向，实现逻辑运算功能。

准确计算自旋转矩和自旋极化对于深入理解自旋电子学中的物理机制以及开发高性能的自旋电子学器件具有至关重要的推动作用。理论计算可以为实验研究提供指导，帮助研究人员预测材料的自旋相关性质，优化器件结构设计，减少实验试错成本。同时，计算结果还能揭示自旋电子学中复杂物理现象的本质，促进理论的发展和完善。第一原理计算方法基于量子力学基本原理，从电子的相互作用出发，能够精确计算材料的电子结构和物理性质，为自旋转矩和自旋极化的研究提供了有力的工具。全相对论下自旋极化的EMTO方法作为一种先进的第一原理计算方法，考虑了相对论效应和自旋-轨道耦合作用，能够更准确地描述材料中电子的行为，对于研究重元素体系和具有强自旋-轨道耦合的材料具有独特的优势。

1.2国内外研究现状

在自旋转矩第一原理计算方面，国内外研究取得了丰硕的成果。早期的研究主要集中在简单的磁性金属体系，通过基于密度泛函理论（DFT）的平面波赝势方法（PWPM），对自旋转矩的基本物理机制进行了探索。随着计算技术的发展，投影缀加波方法（PAW）和线性muffin-tin轨道方法（LMTO）等也被广泛应用于自旋转矩的计算，这些方法在处理复杂晶体结构和电子关联效应方面具有一定的优势。近年来，为了更准确地描述自旋转矩在界面和纳米结构中的行为，研究人员发展了基于非平衡格林函数（NEGF）与密度泛函理论相结合的方法，能够考虑电子的量子输运过程，成功解释了一些实验中观察到的自旋转矩相关现象。国内的研究团队在该领域也做出了重要贡献，如北京大学的研究团队通过第一原理计算系统研究了过渡金属氧化物异质结中的自旋转矩效应，揭示了界面结构和电子态对自旋转矩的影响规律；清华大学的研究人员则利用第一原理计算结合微磁学模拟，深入探讨了自旋转矩驱动的磁畴壁运动特性，为磁存储器件的优化提供了理论依据。

在全相对论下自旋极化的EMTO方法研究方面，国外研究起步较早。该方法最初由挪威的研究团队提出并发展，经过多年的改进和完善，已经成为一种成熟的第一原理计算方法，被广泛应用于材料电子结构和物理性质的研究。EMTO方法基于最小完备的Hankel球面波函数，通过基于物理的屏蔽技术实现高度局域化基组函数，即屏蔽球面波，能够实现对电子系统哈密顿量的最小表示，具有计算精度高、效率快的优点。在考虑全相对论效应和自旋极化后，EMTO方法能够准确描述重元素体系和具有强自旋-轨道耦合材料的电子结构和自旋相关性质。例如，德国的研究人员利用全相对论下自旋极化的EMTO方法研究了重过渡金属化合物的磁性和输运性质，成功解释了实验中观察到的反常霍尔效应；美国的研究团队则运用该方法研究了稀土元素掺杂体系的自旋极化特性，为新型磁性材料的开发提供了理论指导。国内对全相对论下自旋极化的EMTO方法的研究也逐渐兴起，上海科技大学的研究团队在该方法的基础上，发展了基于全相对论EMTO的非共线磁性的自旋电子学器件量子输运计算方法，实现了对自旋流和自旋转矩的准确计算，为自旋电子学器件的设计和优化提供了重要的理论支持。

1.3研究内容与方法

本研究将围绕自旋转矩的第一原理计算与全相对论下自旋极化的EMTO方法展开深入研究。具体研究内容包括：利用第一原理计算方法系统研