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2025年功率半导体行业五年技术革新报告
一、行业背景与技术演进基础
1.1全球功率半导体市场需求与增长动能
1.2政策驱动与产业升级战略导向
1.3技术瓶颈与突破路径探索
1.4产业链协同创新生态构建
二、核心材料与技术突破路径
2.1第三代半导体材料规模化制备进展
2.1.1碳化硅（SiC）衬底材料作为功率半导体产业的核心基石
2.1.2氮化镓（GaN）外延材料则在射频与快充领域展现出独特优势
2.1.3氧化镓（Ga?O?）作为超宽禁带半导体材料，其制备技术从实验室走向中试阶段
2.2器件结构创新与性能优化方向
2.2.1沟槽栅MOSFET结构成为SiC器件性能提升的关
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