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SiC-Si混合半导体器件赋能串联谐振式双有源桥变换器的深度研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今社会，能源问题已然成为全球发展所面临的核心挑战之一。随着工业化进程的加速以及人们生活水平的不断提高，对能源的需求呈现出迅猛增长的态势。与此同时，传统化石能源的日益枯竭以及其在使用过程中对环境造成的严重污染，使得开发和利用清洁能源、提高能源转换效率成为当务之急。在此背景下，电力电子技术作为实现能源高效转换和利用的关键支撑技术，其重要性愈发凸显。

碳化硅（SiC）作为一种宽带隙半导体材料，与传统的硅（Si）材料相比，具有诸多卓越的物理特性。SiC的击穿电场强度高达硅的10倍以上，这使得基于SiC的功率器件能够承受更高的电压，从而在高压应用场景中表现出色。SiC还拥有更高的热导率，是硅的3倍左右，这一特性使得SiC器件在工作过程中能够更有效地散热，大大提高了器件的可靠性和稳定性。SiC材料的电子迁移率也相对较高，能够实现更快的开关速度，有效降低开关损耗，提高电力转换效率。然而，由于SiC材料的制备工艺复杂，生产成本居高不下，在一定程度上限制了其大规模应用。

硅（Si）材料虽然在性能上相较于SiC存在一定的局限性，但其技术成熟，成本低廉，在当前的电力电子市场中仍占据着主导地位。将SiC与Si材料相结合，形成SiC-Si混合半导体器件，能够充分发挥两者的优势，在提高器件性能的同时，有效控制成本。这种混合器件在多个领域展现出了巨大的应用潜力，如电动汽车的充电桩、可再生能源发电系统中的逆变器以及电力传输系统中的变流器等。

在众多电力电子变换器拓扑结构中，串联谐振式双有源桥变换器凭借其独特的优势脱颖而出。该变换器具有能量双向流动的特性，能够灵活地实现电能的双向传输，满足诸如电池充放电、分布式能源接入电网等应用场景的需求。它还具备软开关特性，在开关过程中能够实现零电压开通（ZVS）或零电流关断（ZCS），大大降低了开关损耗，提高了变换器的效率。通过合理设计谐振参数，串联谐振式双有源桥变换器能够实现较高的功率密度，减小设备的体积和重量，这对于空间受限的应用场合尤为重要。

本研究聚焦于基于SiC-Si混合半导体器件的串联谐振式双有源桥变换器，具有重要的理论意义和实际应用价值。从理论层面来看，深入研究这种新型变换器的工作原理、性能特点以及优化设计方法，有助于丰富和完善电力电子变换器的理论体系，为后续的研究提供新的思路和方法。从实际应用角度出发，开发基于SiC-Si混合器件的高效变换器，能够有效提高能源转换效率，降低能源损耗，推动清洁能源的广泛应用，对于缓解能源危机和改善环境质量具有积极的促进作用。在电动汽车领域，该变换器可应用于车载充电器和电池管理系统，提高充电速度和电池使用寿命；在可再生能源发电领域，可用于太阳能逆变器和风力发电变流器，提高发电效率和稳定性；在智能电网领域，能够实现电能的高效传输和分配，提升电网的可靠性和灵活性。

1.2国内外研究现状

在SiC-Si混合半导体器件方面，国外的一些知名半导体企业如安森美、英飞凌等处于技术领先地位。安森美半导体公司在2019年欧洲PCIM电力电子贸易展上展示了新款基于碳化硅（SiC）的混合IGBT(绝缘栅双极型晶体管)，该产品采用硅基IGBT结合SiC肖特基二极管技术，充分利用SiC技术的效率优势和硅的成本优势，在多种电力应用中有效降低了传导损耗和开关损耗。英飞凌也在不断研发和推出新型的SiC-Si混合器件，其产品在电动汽车、可再生能源等领域得到了广泛应用。国内的研究机构和企业也在积极开展相关研究，如清华大学、浙江大学等高校在SiC-Si混合器件的设计、制造工艺等方面取得了一系列研究成果。一些国内企业如比亚迪、斯达半导等也加大了在这一领域的研发投入，致力于实现SiC-Si混合器件的国产化和产业化。

对于串联谐振式双有源桥变换器，国内外学者也进行了大量的研究。在控制策略方面，传统的单移相控制（SPS）操作简单，能够实现重载状态下所有开关管的零电压开通，但当电压传输比不等于1时，在轻载状态下部分开关管将会失去ZVS特性，且电流环流大，导致系统效率降低。为了克服这些问题，近年来提出了多种改进的控制策略，如双重移相控制（DPS）、三重移相控制（TPS）等。TPS控制在原副边移相的基础上，引入原边桥臂移相角和副边桥臂移相角两个变量，能够在全功率范围下实现ZVS或ZCS的同时，使电流应力最小，有效提高了系统效率。在优化设计方面，研究主要集中在谐振参数的优化、变压器的设计以及软开关范围的拓展等。通过合理选择谐振电感、电容的值，能够使变换器在不同工况下都保持较高的效率；采用新型的变压器结构和材料