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《半导体激光二极管制备技术及光束质量调控》

随着半导体激光技术的发展，半导体激光二极管（LD）因其体积小、效率高、

寿命长、易于集成等优点，在通信、工业、医疗、军事等领域得到了广泛的应用。

本文将围绕半导体激光二极管的制备技术及其光束质量调控进行详细阐述。

1.半导体激光二极管的基本原理

半导体激光二极管是一种基于半导体材料的激光器件，其工作原理基于半导体

材料的能带结构和电子跃迁。在半导体材料中，电子从高能级（导带）跃迁到低能

级（价带）时，会释放出光子，这一过程称为自发辐射。当电子在有源区受到外部

电场的激励，使得电子从价带跃迁到导带，形成非平衡载流子，这些载流子在复合

时释放出光子，如果这些光子在有源区得到有效的反馈和放大，就会产生激光。

2.半导体激光二极管的制备技术

半导体激光二极管的制备技术主要包括外延生长、光刻、刻蚀、注入、退火等

步骤。

2.1外延生长

外延生长是制备半导体激光二极管的关键步骤，常用的外延生长技术有分子束

外延（MBE）、金属有机化合物气相沉积（MOCVD）和化学气相沉积（CVD）等。

-分子束外延（MBE）：MBE技术通过精确控制分子束的流量和生长速率，实

现原子级别的精确控制，适用于生长高质量的半导体材料。

-金属有机化合物气相沉积（MOCVD）：MOCVD技术通过将金属有机化合物和

氢气混合，在高温下分解，形成半导体材料，适用于生长大面积、均匀的半导体薄

膜。

-化学气相沉积（CVD）：CVD技术通过将气体反应物在高温下分解，形成半

导体材料，适用于生长高纯度的半导体材料。

2.2光刻

光刻是半导体制造中用于转移电路图案到硅片上的技术。光刻技术包括紫外光

刻、极紫外光刻（EUV）和电子束光刻等。

-紫外光刻：紫外光刻使用紫外光作为光源，通过光罩将电路图案转移到硅片

上。

-极紫外光刻（EUV）：EUV光刻使用极紫外光作为光源，具有更高的分辨率

，适用于更精细的电路图案。

-电子束光刻：电子束光刻使用电子束作为光源，具有极高的分辨率，适用于

小批量、高精度的电路图案。

2.3刻蚀

刻蚀是半导体制造中用于去除硅片上不需要的材料的技术。刻蚀技术包括湿法

刻蚀和干法刻蚀。

-湿法刻蚀：湿法刻蚀使用化学溶液去除硅片上不需要的材料，适用于大批量

生产。

-干法刻蚀：干法刻蚀使用等离子体或离子束去除硅片上不需要的材料，具有

更高的选择性和精度。

2.4注入

注入是半导体制造中用于改变半导体材料电学性质的技术。注入技术包括离子

注入和激光注入。

-离子注入：离子注入通过将高能离子注入半导体材料，改变其电学性质。

-激光注入：激光注入通过激光束照射半导体材料，改变其电学性质。

2.5退火

退火是半导体制造中用于修复材料缺陷和改善材料性质的技术。退火技术包括

快速热退火（RTA）和炉退火。

-快速热退火（RTA）：RTA通过快速升温和降温，修复材料缺陷和改善材料

性质。

-炉退火：炉退火通过长时间高温处理，修复材料缺陷和改善材料性质。

3.半导体激光二极管的光束质量调控

半导体激光二极管的光束质量直接影响其应用性能，因此对光束质量的调控至

关重要。光束质量调控主要包括模式控制、波长控制和光束整形。

3.1模式控制

模式控制是调控半导体激光二极管输出光束的空间模式，包括基横模和高阶横

模。

-基横模：基横模是半导体激光二极管输出光束的基本模式，具有最低的发散

角和最高的光束质量。

-高阶横模：高阶横模是半导体激光二极管输出光束的非基本模式，具有较高

的发散角和较低的光束质量。

模式控制技术包括：

-腔面设计：通过设计半导体激光二极管的腔面形状，实现对基横模和高阶横

模的选择性激励。

-反馈控制：通过外部反馈控制，实现对基横模和高阶横模的选择性激励。

-温度控制：通过控制半导体激光二极管的工作温度，实现对基横模和高阶横

模的选择性激励。

3.2波长控制

波长控制是调控半导体激光二极管输出光束的波长，包括单波长和多波长。

-单波长：单波长是半导体激光二极管输出光束的基本波长，具有最高的单色

性和最低的波长漂移。

-多波长：多波长是半导体激光二极管输出光束的非基本波长，具有较低