基于CVD法的单层WS2晶体薄膜制备工艺与光电性能的深度剖析.docxVIP

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2025-12-11 发布于上海
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基于CVD法的单层WS2晶体薄膜制备工艺与光电性能的深度剖析.docx

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基于CVD法的单层WS2晶体薄膜制备工艺与光电性能的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

随着科技的飞速发展，对高性能电子器件和光电器件的需求日益增长，推动着材料科学领域不断探索新型材料以满足这些需求。二维材料作为一类具有原子级厚度的新型材料，自石墨烯被首次成功制备以来，便引起了科学界和产业界的广泛关注。二维材料具有独特的原子结构和电子特性，如高载流子迁移率、优异的光学吸收与发射性能以及良好的机械柔韧性等，这些特性使其在高速电子器件、高性能传感器、柔性显示和高效能源转换器件等众多领域展现出巨大的应用潜力，成为后摩尔时代延续集成电路性能提升的关键材料之一，有望引发电子信息产业的新一轮变革