绝对精度滤芯在半导体中的应用.ppt

绝对精度滤芯在半导体中的应用第1页，共22页，星期日，2025年，2月5日绝对精度折叠滤芯介绍半导体哪些地方用到绝对精度竞争分析和推广话术CONTENT第2页，共22页，星期日，2025年，2月5日何谓绝对精度AbsoluteratingMeaningthat99.9%（oressentiallyall）oftheparticleslargerthanaspecificmicroratingwillbetrappedonorwithinthefilter.WhyuseabsoluteratingProvidetheultimateineconomicalfiltrationforeventhemostcriticalprocessfluids.第3页，共22页，星期日，2025年，2月5日绝对精度的表征第4页，共22页，星期日，2025年，2月5日PolyPure-AB绝对精度日本进口Nano纤维材料纳米级纤维直径99.9%原料截留效率纤维交织没有死结点原料特性不含硅油检测所有膜和配件通过检测硅油SGS检测自主滤效检测滤芯焊接完整性检测膜片颗粒截留检测液体滤效β第5页，共22页，星期日，2025年，2月5日第6页，共22页，星期日，2025年，2月5日第7页，共22页，星期日，2025年，2月5日半导体哪些地方用到绝对精度绝对精度折叠滤芯介绍竞争分析和推广话术CONTENT第8页，共22页，星期日，2025年，2月5日WET湿法清洗应用点详解ITOEtching(草酸系或盐酸系）PHT显影制程第9页，共22页，星期日，2025年，2月5日ITOEtching蚀刻：蚀刻是将材料使用化学反应或物理撞击技术而移除的技术。蚀刻技术可以分为湿蚀刻和干蚀刻，在湿蚀刻中使用化学溶液，经由化学反应达到蚀刻的目的，而干蚀刻通常是一种等离子体蚀刻，其作用是等离子体撞击芯片表面的物理作用，或者是等离子体活性基与芯片表面原子间的化学反应。随着集成电路中组件尺寸越做越小，由于化学反应没有方向性，而湿蚀刻是等向性的，当蚀刻溶液做纵向蚀刻时，侧向蚀刻同时发生，从而导致图案线宽失真，因此湿蚀刻在3微米以下组件的制程中已逐渐被干蚀刻取代。第10页，共22页，星期日，2025年，2月5日草酸系VS盐酸系ITO规格的不同，蚀刻液的选择和浓度配比都不同ITO是IndiumTinOxides的缩写，纳米级铟锡金属氧化物，有良好的导电性，有效切断电子辐射非晶系：草酸系（3.4%）经典配方晶系：盐酸系（FeCl+HCl或者王水）3.4%的草酸属于弱酸，可以用PP材质预过滤PP材料无法耐受强酸，建议使用PTFE或PVDF第11页，共22页，星期日，2025年，2月5日PHT第12页，共22页，星期日，2025年，2月5日PHT碱性溶液适用于PP材质过滤，PP材料耐热性高，耐碱pH范围广第13页，共22页，星期日，2025年，2月5日RCA清洗法=+WET稀释化学法+IMEC清洗法+单晶片清洗湿法清洗采用液体化学溶剂和DI水氧化、蚀刻和溶解晶片表面污染物、有机物及金属离子污染依靠溶剂、酸、表面活性剂和水在不破坏晶元表面特征的情况下通过喷射、净化、氧化和溶解晶元表面污染物。在每次使用化学品后都要在超纯水中彻底清洗在RCA清洗的基础上，对SC1，SC2混合物采用稀释化学法可以大量节约化学品和DI水的消耗量。并且SC2混合物中的H2O2可以完全去除科普：SC1：APM称为SC1清洗液，配方为：SC2：HPM称为SC2清洗液，配方为：HCL:H2O2：H2O=1：1：6~1：2：7第一步生成薄层化学氧化物；第二步去除氧化物，同时去除颗粒和金属污染物；第三步在沉积了金属氧化物的硅表面产生亲水性，防止干燥出现水印大直径晶片的清洗，清洗过程采用DI水及HF的循环再利用第14页，共22页，星期日，2025年，2月5日由于集成电路内个元件及连线相当细微，因此制造过程中如果遭到尘粒、金属的污染，很容易造成晶片内电路功能的损坏，形成短路或断路等，导致集成电路失效以及影响几何特征的形成。因此在制作过程中除了要排出外界的污染源外，集成电路制造步骤如高温扩散、离子植入前均需要进行清洗工作。所以半导体制造清洗效果的好坏，较大程度的影响芯片制程及电路特性等质量问题。清洗液使用的各种化学品处理不当就会严重污染环境，清洗次数繁多消耗大量的化学品和DI水，面对更细，集成度更高的制程，对化学品以及清洗液的纯度要求也越来越高，超纯化学品的需求越发广