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探索CVD法制备高质量单层WS2及其在电学器件中的应用

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代材料科学领域中，二维材料凭借其独特的原子结构和优异的物理性质，成为了研究的热点。其中，二硫化钨（WS?）作为一种典型的过渡金属二硫族化合物，以其出色的电学、光学和机械性能，展现出了广阔的应用前景。从原子层面来看，WS?具有类似于石墨烯的层状结构，每一层由一个钨原子层夹在两个硫原子层之间，通过强共价键相互连接，而层与层之间则依靠较弱的范德华力相互作用。这种特殊的结构赋予了WS?许多独特的性质，使其在诸多领域备受关注。

化学气相沉积（CVD）法作为一种能够精确控制材料生长的技术，在制备高质量单层WS