氢化物气相外延法制备氮化镓的光谱与电学特性及生长机制探究.docx

氢化物气相外延法制备氮化镓的光谱与电学特性及生长机制探究

一、引言

1.1研究背景与意义

随着科技的飞速发展，半导体材料在现代社会中的地位愈发重要。从日常使用的电子设备到先进的通信系统，从高效的能源管理到精密的医疗仪器，半导体材料无处不在，它们如同现代科技的基石，支撑着各种创新应用的实现。在众多半导体材料中，氮化镓（GaN）作为第三代半导体材料的杰出代表，凭借其独特的物理性质，成为了当前研究的热点和焦点。

氮化镓具有宽禁带宽度，这赋予了它出色的电学性能，使其能够在高电压、高频率的环境下稳定工作。例如，在电力电子领域，氮化镓器件能够实现更高的开关频率，从而显著提高电能转换效率，降低能量损耗。这