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2025年海量高质量《模拟电子技术》期末试卷附答案

一、单项选择题（每小题2分，共20分）

1.当环境温度升高时，硅二极管的正向导通压降将（）。

A.增大B.减小C.不变D.先增后减

2.某NPN型三极管在放大电路中测得三个电极电位分别为：U_B=2.7V，U_C=5V，U_E=2V，则该管工作在（）。

A.截止区B.饱和区C.放大区D.击穿区

3.共集电极放大电路的主要特点是（）。

A.电压增益高、输入电阻小B.电压增益近似为1、输入电阻大

C.电压增益高、输出电阻大D.电压增益近似为-1、输出电阻小

4.集成运算放大器的输入级采用差分放大电路，主要目的是（）。

A.提高电压增益B.增大输出功率C.抑制零点漂移D.降低功耗

5.某放大电路引入电压串联负反馈后，其输入电阻和输出电阻的变化为（）。

A.输入电阻增大，输出电阻减小B.输入电阻减小，输出电阻增大

C.输入电阻和输出电阻均增大D.输入电阻和输出电阻均减小

6.互补对称功率放大电路（OCL）的最大效率约为（）。

A.25%B.50%C.78.5%D.90%

7.用集成运放构成的反相比例运算电路中，若输入电阻为R1，反馈电阻为Rf，则闭环电压增益Auf=（）。

A.Rf/R1B.-Rf/R1C.1+Rf/R1D.-1

8.某RC桥式正弦波振荡电路中，若RC串并联选频网络的谐振频率为f0，则放大电路的电压增益需满足（）。

A.|Au|≥3B.|Au|≤3C.|Au|≥1D.|Au|≤1

9.稳压二极管正常工作时应处于（）。

A.正向导通区B.反向截止区C.反向击穿区D.死区

10.差分放大电路中，若两个输入信号分别为ui1=5mV，ui2=3mV，则差模输入信号uid=（），共模输入信号uic=（）。

A.2mV，4mVB.4mV，2mVC.8mV，1mVD.1mV，8mV

二、填空题（每空2分，共20分）

1.半导体二极管的主要特性是__________，其正向导通时硅管压降约为__________V。

2.三极管实现电流放大的内部条件是发射区掺杂浓度高、基区__________且掺杂浓度低、集电区面积大。

3.放大电路的频率特性包括幅频特性和__________特性，通频带是指增益下降至中频增益的__________倍时对应的频率范围。

4.集成运放的理想化条件包括开环差模增益Aud→∞、差模输入电阻rid→∞、输出电阻ro→__________、共模抑制比KCMR→__________。

5.负反馈放大电路产生自激振荡的条件是环路增益AF=__________，即幅值条件|AF|=1且相位条件φA+φF=__________。

三、分析计算题（共60分）

1.（15分）图1所示为二极管限幅电路，已知输入电压ui=10sinωt（V），二极管为理想二极管（导通压降为0），试：

（1）分析当ui5V时二极管D的工作状态；

（2）画出输出电压uo的波形（标注关键幅值）；

（3）若将D反接，输出波形如何变化？

图1：二极管限幅电路（电源V=5V，电阻R与二极管串联后接输入ui，输出uo取自二极管与电阻之间）

2.（15分）图2所示为分压式偏置共发射极放大电路，已知VCC=12V，RB1=30kΩ，RB2=10kΩ，RC=3kΩ，RE=2kΩ，RL=3kΩ，三极管β=50，UBE=0.7V，rbb’=200Ω。试：

（1）计算静态工作点Q（IBQ、ICQ、UCEQ）；

（2）画出微变等效电路；

（3）计算电压增益Au、输入电阻Ri和输出电阻Ro。

图2：分压式偏置共射放大电路（RB1与RB2串联分压接基极，RE并联旁路电容CE）

3.（15分）图3所示为集成运放构成的运算电路，已知R1=10kΩ，R2=20kΩ，R3=10kΩ，Rf=40kΩ，ui1=0.5V，ui2=0.3V，运放为理想运放。试：

（1）判断运放A1、A2的电路类型；

（2）计算输出电压uo1和uo2；

（3）若R3开路，uo2如何变化？

图3：运放电路（A1为反相输入，A2为同相输入，A1输出接A2同相端，A2反相端通过R3接地，反馈电阻Rf接A2输出到反相端）

4.（15分）图4所示为交流负反馈放大电路，试：

（1）判断反馈类型（说明输出取样方式、输入比较方式及反馈极性）；

（2）写出闭环电压增益Auf的近似表达式（设满足深度负