薄膜硅_晶体硅异质结太阳电池中TCO_a - Si_H界面特性的深度剖析与性能优化研究.docx

薄膜硅/晶体硅异质结太阳电池中TCO/a-Si:H界面特性的深度剖析与性能优化研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在全球能源需求持续增长以及对环境保护日益重视的大背景下，太阳能作为一种清洁、可再生的能源，其开发与利用受到了广泛关注。太阳能电池作为将太阳能转化为电能的关键器件，不断提升其转换效率和降低成本是研究的核心目标。薄膜硅/晶体硅异质结太阳电池结合了薄膜硅电池低温制备工艺和晶体硅电池高转换效率的优势，展现出了巨大的应用潜力和广阔的发展前景。

薄膜硅/晶体硅异质结太阳电池具有转换效率高、温度系数低、弱光性能好等优点，其结构中，透明导电氧化物（TCO）与氢化非晶硅（a-S