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深度解析(2026)《GBT 14141-2009硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法(2026年)深度解析.pptxVIP

深度解析(2026)《GBT 14141-2009硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法(2026年)深度解析.pptx

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    ;目录;;薄层电阻测定技术对比：直排四探针法的独特优势;（二）GB/T14141-2009的制定背景与行业需求;;;适用对象界定：三类硅薄层的核心特性与测定意义;（二）适用范围的量化指标：电阻量程与薄层厚度要求;;;核心原理：四探针的功能分工与电流电压关系;（二）修正系数C的物理意义与计算方法;（三）原理与实测的关联：为何原理细节决定测量精度;;样品制备核心要求：表面状态与尺寸的标准化处理;;;;;;（三）多点测量与均匀性评估：取样位置与次数的规范要求;;核心计算公式应用：从原始数据到电阻值的推导;（二）数据修约规则：有效数字与精度匹配的标准化处理

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