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由于在SiC粉体的制备中，原料的不完全反应、外界环境以及加工设备的影响，使得产品中有很多游离的碳、硅、二氧化硅、铁铝等单质和氧化物。这些杂质的存在会影响SiC微粉的物理化学性能以及生成的SiC单晶的结晶质量与电化学性质。因此，对于非高纯SiC的除杂十分必要。
除碳工艺
化学除碳工艺
化学除碳工艺一般分为加热氧化法与化学氧化法。
加热氧化法
加热氧化法的原理主要是对SiC微粉进行煅烧，将其中的游离碳、石墨和空气中的氧在高温下发生反应生成二氧化碳或者一氧化碳，从而使碳以气态形式脱离SiC微粉，达到除碳的目的。该法在一定的温度和反应时间下，SiC微粉中可达到98%（ω）的碳去除率。研究表明，加热氧化
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