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硅光子芯片集成波导耦合损耗的工艺优化路径

一、硅光子集成波导耦合损耗的基本认知

在硅光子芯片中，光信号的传输效率直接决定了芯片性能的优劣。而集成波导作为光信号的“高速通道”，其耦合损耗是影响传输效率的核心瓶颈之一。所谓耦合损耗，是指光信号在不同波导结构、不同材料界面或芯片与外部光纤连接时，因能量无法完全转移而产生的损失。这种损耗不仅会降低信号强度、增加系统噪声，还可能导致芯片功耗上升，严重制约硅光子技术在数据中心、光通信、激光雷达等领域的规模化应用。

（一）耦合损耗的定义与核心影响

从物理本质看，耦合损耗源于光场模式的不匹配。光在波导中传输时，其电场和磁场分布（即模式）由波导的材料折射率、几何尺寸和形状共同决定。当光从一个波导耦合到另一个波导时，若两者的模式分布差异较大，部分能量无法被接收波导有效约束，就会以散射或辐射的形式流失。例如，单模光纤的模场直径通常在8-10微米，而硅基纳米波导的模场直径仅约0.5微米，这种显著的尺寸差异会导致高达10dB以上的初始耦合损耗（理论极限）。

耦合损耗对硅光子芯片的影响是多维度的。在性能层面，损耗每增加1dB，接收端的信噪比可能下降约10%，直接影响长距离光通信的可靠性；在成本层面，为补偿损耗需额外增加光放大器或激光器功率，推高系统集成复杂度和能耗；在工艺层面，高损耗会放大制造误差的敏感性，对光刻、刻蚀等工艺的精度提出更严苛要求。因此，降低耦合损耗是硅光子芯片从实验室走向产业化的关键突破口。

（二）典型耦合场景与损耗来源解析

硅光子芯片的耦合场景可分为三类：芯片与外部光纤的耦合（片外耦合）、芯片内部不同材料波导的耦合（片内异质耦合）、芯片内部同材料不同尺寸波导的耦合（片内同质耦合）。不同场景下，损耗的主要来源各有侧重。

片外耦合是最常见的场景，其损耗主要来自模场失配和对准误差。光纤的模场呈高斯分布且直径较大，而硅波导的模场受限于高折射率差（硅折射率约3.45，二氧化硅约1.45），呈强限制的窄高斯分布。两者的模场重叠积分低，导致能量无法有效转移。此外，光纤与波导端面的横向偏移（如±1微米的偏移会引入约1dB损耗）、纵向间距（空气间隙的反射损耗）以及角度偏差（如±1°的倾斜会导致约0.5dB损耗）也是重要来源。

片内异质耦合多见于硅-氮化硅（Si3N4）、硅-二氧化硅（SiO2）等异质集成结构。由于不同材料的折射率差异，波导的有效折射率（决定模式特性）会发生突变。例如，硅波导的有效折射率约为2.8，氮化硅波导约为2.0，直接连接时模式不匹配会导致能量反射。此外，材料界面的粗糙度（如刻蚀后残留的纳米级起伏）会引发散射损耗，通常每1纳米的均方根粗糙度会引入约0.1dB/cm的额外损耗。

片内同质耦合主要发生在单模波导与多模波导、直波导与弯曲波导的连接部位。单模-多模耦合时，多模波导中高阶模式的激发会导致能量分散；弯曲波导则因模式场的偏移（即“模式畸变”）与直波导的模式重叠度下降。此外，波导宽度或厚度的突变（如从500纳米直接缩减至300纳米）会引发反射，形成“阶跃损耗”。

二、工艺优化的关键维度与技术路径

针对耦合损耗的多场景、多来源特性，工艺优化需从材料适配、结构设计、制备精度三个维度协同推进，形成“材料-结构-工艺”的闭环优化体系。

（一）材料体系的适配性优化

材料选择是降低耦合损耗的基础。理想的材料体系应满足两个条件：一是与光纤或其他外部器件的模场匹配性好，二是内部异质材料间的折射率差渐变可控。

对于片外耦合，硅本身的高折射率差导致模场过小，需引入过渡材料。氮化硅（折射率约2.0）因折射率介于硅和二氧化硅之间，成为常用的“缓冲层”。例如，在硅波导上方沉积一层氮化硅，通过调整氮化硅波导的宽度和厚度，可将模场直径从0.5微米扩展至3-5微米，与光纤的模场重叠度显著提升。此外，二氧化硅（折射率1.45）虽折射率更低，但因其与光纤包层材料一致，常被用作波导包层，减少界面反射。

在片内异质耦合中，材料的选择需兼顾光学和工艺兼容性。例如，硅-氮化硅异质集成时，氮化硅的热膨胀系数（约2.8×10-6/°C）与硅（约2.6×10-6/°C）接近，可减少热应力导致的结构形变；同时，氮化硅的光学损耗（约0.1dB/cm）远低于非晶硅（约10dB/cm），更适合长距离传输。近年来，二维材料（如二硫化钼、石墨烯）因具有可调的折射率（通过电场或掺杂调控），被探索用于动态模场匹配，为材料优化提供了新方向。

（二）波导结构的精细化设计

结构设计是降低耦合损耗的核心手段，其目标是通过几何形状的优化，实现模式的平滑过渡或高效转换。

端面结构优化：锥形波导是最经典的设计。通过将波导端面从纳米级宽度（如500纳米）逐渐展宽至微米级（如10微米），形成长度为几十到几百微米的锥形区域，光场可在锥形段内逐渐扩展，与光纤模场匹配。实验