含Cu硅基铁电电容器集成中Ni - Al阻挡层的性能与应用研究.docxVIP

含Cu硅基铁电电容器集成中Ni-Al阻挡层的性能与应用研究

一、引言

1.1研究背景与意义

随着信息技术的飞速发展，集成电路（IC）在现代电子设备中扮演着核心角色。从最初简单的晶体管电路到如今高度复杂的超大规模集成电路，IC的发展历程见证了人类科技的巨大进步。在这一发展过程中，互连技术作为IC制造的关键环节，其性能的优劣直接影响着IC的整体性能、功耗以及可靠性。

在早期的IC制造中，铝（Al）及其合金凭借其良好的导电性、易加工性和相对较低的成本，成为互连材料的首选，在半导体行业占据主导地位长达30余年。然而，随着IC特征尺寸不断缩小，当进入纳米级领域时，铝互连面临