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PIII系统设计及其在金刚石薄膜n型掺杂中的应用研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体材料的不断演进历程中，随着科技发展对器件性能提出愈发严苛的要求，传统半导体材料在应对高温、高功率以及高频等复杂工况时，逐渐显露出局限性。在此背景下，具有超宽禁带、高击穿场强、高载流子迁移率和高热导率等卓越特性的金刚石薄膜，成为半导体领域的研究焦点，有望突破传统材料瓶颈，推动半导体器件向高性能、多功能方向跨越。

金刚石薄膜作为一种极具潜力的新型材料，在电子学领域具有极为广阔的应用前景。实现金刚石薄膜的n型掺杂，是充分挖掘其半导体性能、制备高性能电子器件的关键前提。通过精准的n型掺杂，可有效调