第三章晶体管的直流效应.pptVIP

ICB0当发射极开路（IE=0）时，集电极-基极的反向电流第61页，共88页，星期日，2025年，2月5日反向电流＝少子电流＋多子电流▲集电结加反偏→势垒区两边的少子密度＜平衡时的少子密度→基区中的少子（电子）及集电区中的少子（空穴）都向结区扩散→少子电流▲体内复合中心和界面态复合中心→多子电流第62页，共88页，星期日，2025年，2月5日BECNNPEBRBECIE集电结反偏，有少子形成的反向电流ICBO。ICBOIC=ICE+ICBO?ICEIBEICE从基区扩散来的电子作为集电结的少子，漂移进入集电结而被收集，形成ICE。第29页，共88页，星期日，2025年，2月5日IB=IBE-ICBO?IBEIBBECNNPEBRBECIEICBOICEIC=ICE+ICBO?ICEIBE第30页，共88页，星期日，2025年，2月5日ICE与IBE之比称为电流放大倍数要使三极管能放大电流，必须使发射结正偏，集电结反偏。第31页，共88页，星期日，2025年，2月5日直流电流放大系数电流放大系数表示放大电流的能力电路接法不同，放大系数也不同共基极直流电流放大系数α集电极输出电流与发射极输入电流之比第32页，共88页，星期日，2025年，2月5日第33页，共88页，星期日，2025年，2月5日第34页，共88页，星期日，2025年，2月5日基区输运系数β*晶体管的发射效率γ注入基区的电子电流与发射极电流的比值到达集电结的电子电流与进入基区的电子电流之比如电子在基区输运过程中复合损失很少，则InC≈InE，β*≈1。第35页，共88页，星期日，2025年，2月5日减小基区体内复合电流IVR是提高β*的有效途径，而减小IVR的主要措施是减薄基区宽度WB，使基区宽度远小于少子在基区的扩散长度LnB，即WB远小于LnB。所以，在晶体管生产中，必须严格控制基区宽度，从而得到合适的电流放大系数。若基区太宽，甚至比基区少子扩散长度大得多，则晶体管相当于两个背靠背的二极管。发射结相当于一只正向偏压二极管，集电结相当于一只反向偏压二极管，互不相干。这样，晶体管就失去放大电流、电压的能力。第36页，共88页，星期日，2025年，2月5日共发射极直流电流放大系数因为IE=IB+IC当β=20时，由上式可以算得α=0.95；β=200时，α=0.995。所以，一般晶体管的α很接近于1。第37页，共88页，星期日，2025年，2月5日晶体管的放大作用晶体管在共射极运用时，IC=βIB。由于β远大于1，输入端电流IB的微小变化，将引起输出端电流IC较大的变化，因此具有放大电流的能力。在共基极运用时，IC=αIE。由于α接近于1，当输入端电流IE变化△IE时，引起输出端电流IC的变化量△IC小于等于△IE。所以起不到电流放大作用。但是可以进行电压和功率的放大。第38页，共88页，星期日，2025年，2月5日晶体管具有放大能力，必须具有下面条件（1）发射区杂质浓度比基区杂质浓度高得多，即NE远大于NB，以保证发射效率γ≈1；（2）基区宽度WB远小于LnB，保证基区输运系数β*≈1；（3）发射结必须正偏，使re很小；集电结反偏，使rc很大，rc远大于re。第39页，共88页，星期日，2025年，2月5日晶体管的特性曲线晶体管的特性曲线形象地表示出晶体管各电极电流与电压间的关系，反映晶体管内部所发生的物理过程，以及晶体管各直流参数的优劣。所以，在生产过程中常用特性曲线来判断晶体管的质量好坏。晶体管的接法不同，其特性曲线也各不相同。第40页，共88页，星期日，2025年，2月5日共基极输入特性曲线输出电压VCB一定时，输入电流与输入电压的关系曲线，即IE～VBE关系曲线。第41页，共88页，星期日，2025年，2月5日第42页，共88页，星期日，2025年，2月5日由于发射结正向偏置，所以，IE～VBE输入特性实际上就是正向P-N结的特性，因而IE随VBE指数增大。但它与单独P-N结间存在差别，这是由于集电结反向偏置VCB影响的结果。若VCB增大，则集电结的势垒变宽，势垒区向基区扩展，这样就使有效基区宽度随VCB增加而减小（这种现象称为基区宽变效应）。由于WB减小，使少子在基区的浓度梯度增加，从而引起发射区向基区注入的电子电流