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半导体类竞赛题库及答案

一、单项选择题（每题2分，共10题）

1.以下哪种半导体材料属于本征半导体？（）

A.硅

B.P型半导体

C.N型半导体

D.杂质半导体

2.当半导体温度升高时，其导电能力（）。

A.增强

B.减弱

C.不变

D.先增强后减弱

3.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。

A.温度

B.杂质浓度

C.光照

D.电场强度

4.P型半导体中的多数载流子是（）。

A.自由电子

B.空穴

C.正离子

D.负离子

5.半导体二极管的正向导通电压一般为（）。

A.0.1-0.3V

B.0.3-0.5V

C.0.5-0.7V

D.0.7-1V

6.稳压二极管工作在（）状态。

A.正向导通

B.反向截止

C.反向击穿

D.放大

7.三极管处于放大状态时，其发射结（），集电结（）。

A.正偏，正偏

B.正偏，反偏

C.反偏，正偏

D.反偏，反偏

8.某三极管的β=50，当基极电流IB=20μA时，集电极电流IC为（）。

A.1mA

B.2mA

C.5mA

D.10mA

9.共发射极放大电路的电压放大倍数公式为（）。

A.Au=β（RC//RL）/rbe

B.Au=βRC/rbe

C.Au=βRL/rbe

D.Au=RC/rbe

10.集成运算放大器的输入级通常采用（）。

A.共发射极放大电路

B.共集电极放大电路

C.差分放大电路

D.功率放大电路

二、多项选择题（每题2分，共10题）

1.半导体的特性包括（）。

A.热敏性

B.光敏性

C.掺杂性

D.绝缘性

2.以下属于杂质半导体的是（）。

A.P型半导体

B.N型半导体

C.本征半导体

D.金属半导体

3.影响半导体导电能力的因素有（）。

A.温度

B.光照

C.杂质

D.压力

4.半导体二极管的主要参数有（）。

A.最大整流电流

B.反向电流

C.反向击穿电压

D.正向导通电压

5.稳压二极管的特点有（）。

A.工作在反向击穿状态

B.稳压性能好

C.动态电阻小

D.温度系数小

6.三极管的三个极分别是（）。

A.发射极

B.基极

C.集电极

D.栅极

7.三极管的主要参数包括（）。

A.电流放大倍数β

B.穿透电流ICEO

C.集电极最大允许电流ICM

D.集电极最大允许耗散功率PCM

8.共发射极放大电路的特点有（）。

A.电压放大倍数高

B.输入电阻适中

C.输出电阻较大

D.功率放大倍数高

9.集成运算放大器的组成部分有（）。

A.输入级

B.中间级

C.输出级

D.偏置电路

10.差分放大电路的优点有（）。

A.有效地抑制零点漂移

B.放大倍数高

C.输入电阻大

D.输出电阻小

三、判断题（每题2分，共10题）

1.半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间。（）

2.本征半导体中没有自由电子和空穴。（）

3.在杂质半导体中，少数载流子的浓度与温度无关。（）

4.半导体二极管的正向电阻很大，反向电阻很小。（）

5.稳压二极管在反向击穿后，电流变化很大，但电压基本不变。（）

6.三极管只要工作在放大状态，其发射结和集电结都必须正偏。（）

7.三极管的电流放大倍数β随温度升高而减小。（）

8.共发射极放大电路只能放大电压，不能放大电流。（）

9.集成运算放大器的开环电压放大倍数很大，所以输出电压一定很大。（）

10.差分放大电路对差模信号有放大作用，对共模信号有抑制作用。（）

四、简答题（每题5分，共4题）

1.简述半导体的热敏性。

2.说明P型半导体和N型半导体的形成原理。

3.画出共发射极放大电路的基本电路图，并简述其工作原理。

4.简述集成运算放大器的理想化条件。

五、讨论题（每题5分，共4题）

1.讨论如何提高半导体二极管的整流效率。

2.分析三极管在数字电路和模拟电路中的不同应用，并举例说明。

3.探讨共发射极放大电路中静态工作点的重要性。

4.讨论集成运算放大器在实际应用中可能遇到的问题及解决方法。

答案及解析

一、单项选择题答案及解析

1.答案：A

解析：硅和锗是常见的本征半导体材料，P型、N型半导体属于杂质半导体，杂质半导体是在本征半导体基础上掺杂形成的。

2.答案：A

解析：温度升高时，半导体中载流子的数量增加，