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256K8CMOSFLASHMEMORY
一般说明
W29C020是一款2兆位、仅需5伏电源的CMOS闪存，组织结构为256K×8位。该设备可在系统内使用
标准5V电源进行写入（擦除和编程）操作。不需要12伏的VPP。与其它同类5伏闪存产品相比，
W29C020独特的单元结构使其写入（擦除/编程）操作速度更快，且功耗极低。此外，该设备也可以使
用标准的EPROM编程器进行写入（擦除和编程）操作。
特性
•单5伏写入（擦除和编程）操作•软件和硬件数据保护
•低功耗有源电流：25mA
•快速页写入操作每页128字节页写入（擦除/
−
（典型值）待机电流：20A
编程）周期：10毫秒（最大值）有效字节写
−（典型值）
−
入−（擦除/编程）周期时间：39秒可选软件保
•自动写入（擦除/编程）时序，带有内部VPP生成
护数据写入
−•写入结束（擦除/编程）检测摆动位数
据轮询
−
−
−
•快速芯片擦除操作：50毫秒
•锁存的地址和数据
•两个8KB引导块并带有锁定功能
•所有输入和输出均直接与TTL兼容
•典型页写入（擦除/编程）周期：100/1K/10K
•JEDEC标准字节宽度引脚排列
•读取存取时间：70/90/120nS•可选封装：32引脚600密耳DIP、450密耳SOP、
TSOP和32引脚PLCC
•十年数据保留
-1‑版本A3
256K8CMOSFLASHMEMORY
GENERALDESCRIPTION
TheW29C020isa2-megabit,5-voltonlyCMOSflashmemoryorganizedas256K8bits.Thedevice
canbewritten(erasedandprogrammed)in-systemwithastandard5Vpowersupply.A12-voltVPPis
notrequired.TheuniquecellarchitectureoftheW29C020resultsinfastwrite(erase/program)
operationswithextremelylowcurrentconsumptioncomparedtoothercomparable5-voltflashmemo
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