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ZnO基稀磁半导体研究

一、引言

在半导体领域，稀磁半导体（DilutedMagneticSemiconductors,DMS）作为一种新型材料，将半导体的电学性质与磁性材料的磁学性质相结合，展现出独特的物理特性和广阔的应用前景。其中，ZnO基稀磁半导体因其宽带隙、高激子结合能以及丰富的掺杂可能性，成为近年来研究的热点。通过在ZnO基体中引入磁性离子，有望实现对电子自旋和电荷的双重操控，从而为自旋电子学器件的发展提供新的契机。

二、ZnO基稀磁半导体的基本概念

2.1ZnO的晶体结构与性质

ZnO是一种具有六方纤锌矿结构的宽带隙半导体，其室温下的禁带宽度约为3.37e