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部分耗尽SOI器件：原理、优势、应用与挑战的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今数字化时代，半导体技术作为现代信息技术的基石，其发展水平直接影响着电子设备的性能、功耗和尺寸。随着通信技术和计算机技术的迅猛发展，人们对芯片的性能要求日益提高，追求更高的运行速度、更低的功耗以及更小的体积成为半导体领域的核心目标。在这一背景下，SOI（Silicon-On-Insulator）技术应运而生，它为解决传统CMOS工艺在性能、功耗以及尺寸等方面的问题提供了有效途径，因此被广泛应用于各种类型的电路中。

SOI技术的核心在于在绝缘衬底上形成一层单晶硅薄膜，实现了器件有源区与衬底的完全隔离