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黑硅赋能光电二极管：性能优化与应用拓展的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在光电子领域，材料与器件的不断创新是推动技术进步的核心动力。黑硅作为一种新型的硅基材料，凭借其独特的微观结构和优异的光学性能，在近年来受到了广泛的关注。黑硅的表面具有高度复杂的纳米级结构，通常呈现出纳米锥、纳米柱或纳米孔等形态，这些微观结构极大地改变了硅材料的光学性质。与传统的硅材料相比，黑硅的光吸收率显著提高，在宽光谱范围内能够吸收绝大部分的入射光，几乎可实现近乎零反射，这一特性使其在光电器件应用中展现出巨大的潜力。

光电二极管作为光电子领域的关键器件之一，其作用是将光信号高效地转换为电信号，广泛应用于光通信