半导体公共考试题库.docxVIP

半导体公共考试题库

姓名：__________考号：__________

一、单选题(共10题)

1.什么是PN结的正向导通和反向截止特性？()

A.正向导通时，PN结内电场增强；反向截止时，PN结内电场减弱

B.正向导通时，PN结内电场减弱；反向截止时，PN结内电场增强

C.正向导通和反向截止时，PN结内电场基本不变

D.正向导通和反向截止时，PN结内电场同时增强

2.晶体管的三个区分别是哪些？()

A.发射区、基区、集电区

B.发射极、基极、集电极

C.栅极、基极、漏极

D.控制极、基极、集电极

3.MOSFET的三种工作模式分别是什么？()

A.截止区、线性区、饱和区

B.饱和区、线性区、截止区

C.截止区、放大区、饱和区

D.放大区、截止区、饱和区

4.什么是霍尔效应？()

A.当电流通过半导体时，由于磁场的存在，电荷在垂直于电流和磁场方向的方向上移动

B.当电流通过半导体时，由于温度的存在，电荷在垂直于电流和磁场方向的方向上移动

C.当电流通过半导体时，由于压力的存在，电荷在垂直于电流和磁场方向的方向上移动

D.当电流通过半导体时，由于光照的存在，电荷在垂直于电流和磁场方向的方向上移动

5.什么是二极管的伏安特性？()

A.二极管电压与电流之间的关系曲线

B.二极管电流与温度之间的关系曲线

C.二极管电压与电阻之间的关系曲线

D.二极管电流与电阻之间的关系曲线

6.什么是场效应晶体管？()

A.通过控制栅极电压来控制源极和漏极之间的电流的晶体管

B.通过控制基极电流来控制发射极和集电极之间的电流的晶体管

C.通过控制基极电压来控制发射极和集电极之间的电流的晶体管

D.通过控制漏极电压来控制源极和栅极之间的电流的晶体管

7.什么是半导体？()

A.指电导率介于导体和绝缘体之间的材料

B.指电导率低于导体和绝缘体之间的材料

C.指电导率高于导体和绝缘体之间的材料

D.指电导率与导体和绝缘体相同的材料

8.什么是半导体器件的放大作用？()

A.将输入信号放大到输出信号的过程

B.将输出信号放大到输入信号的过程

C.将输入信号减小到输出信号的过程

D.将输出信号减小到输入信号的过程

9.什么是半导体器件的开关作用？()

A.控制电流的通断过程

B.控制电压的通断过程

C.控制功率的通断过程

D.控制频率的通断过程

10.什么是半导体器件的整流作用？()

A.将交流电转换为直流电的过程

B.将直流电转换为交流电的过程

C.将高频信号转换为低频信号的过程

D.将低频信号转换为高频信号的过程

二、多选题(共5题)

11.以下哪些是半导体材料常见的掺杂类型？()

A.碳掺杂

B.硼掺杂

C.铝掺杂

D.硅掺杂

12.在晶体管的工作过程中，以下哪些因素会影响其放大能力？()

A.基极电流

B.集电极电流

C.基极电压

D.集电极电压

13.以下哪些是MOSFET的三种工作模式？()

A.截止区

B.线性区

C.饱和区

D.放大区

14.在半导体器件中，以下哪些现象属于PN结的特性？()

A.正向导通

B.反向截止

C.霍尔效应

D.热电效应

15.以下哪些是半导体器件的常见应用？()

A.放大器

B.开关

C.整流器

D.滤波器

三、填空题(共5题)

16.PN结在正向偏置时，其内部电场会

17.MOSFET的源极和漏极之间的导电沟道是由

18.晶体管中的基区厚度通常比发射区和集电区

19.二极管正向导通时，其正向电压大约在

20.在半导体物理中，电子和空穴的迁移率

四、判断题(共5题)

21.PN结在反向偏置时，其反向饱和电流会随着反向电压的增加而增大。()

A.正确B.错误

22.晶体管的基极宽度比发射极宽度要宽。()

A.正确B.错误

23.MOSFET的栅极与沟道之间是绝缘的。()

A.正确B.错误

24.二极管在正向导通时，其正向电压是恒定的。()

A.正确B.错误

25.霍尔效应的产生与半导体材料的导电类型无关。()

A.正确B.错误

五、简单题(共5题)

26.请简述PN结形成的过程及其在电路中的作用。

27.解释晶体管中的电流放大原理。

28.什么是霍尔效应？它如何应用于霍尔传感器中？

29.