半导体器件可靠性分析：时间依赖性击穿分析_（7）.TDDB模型与寿命预测.docxVIP

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TDDB模型与寿命预测

引言

时间依赖性击穿（Time-DependentDielectricBreakdown,TDDB）是半导体器件可靠性分析中的一个重要方面。TDDB指的是在高压应力作用下，半导体器件中的绝缘材料随时间逐渐发生击穿的现象。这种现象会影响器件的长期可靠性，因此，建立准确的TDDB模型并进行寿命预测是至关重要的。本节将详细介绍TDDB的基本模型、建模方法以及如何利用这些模型进行寿命预测。

TDDB的基本模型

常见TDDB模型

Arrhenius模型Arrhenius模型是基于热激活过程的TDDB模型，其基本假设是击穿时间与温度、电压应力和材料特性有关。该模型可以用以下公式表示：

t

其中：

tb

A是预因子

Ea

k是玻尔兹曼常数

T是绝对温度

V0

V是施加电压

m是电压指数

Eyring模型Eyring模型是基于量子力学的TDDB模型，考虑了材料中的缺陷和陷阱对击穿过程的影响。该模型可以用以下公式表示：

t

其中：

tb

A是预因子

Ea

k是玻尔兹曼常数

T是绝对温度

V0

V是施加电压

m是电压指数

Mori-Tanaka模型Mori-Tanaka模型是基于微观缺陷的TDDB模型，考虑了绝缘材料中的缺陷密度对击穿时间的影响。该模型可以用以下公式表示：

t

其中：

tb

N0

N是实际缺陷密度

Ea

k是玻尔兹曼常数

T是绝对温度

V0

V是施加电压

m是电压指数

模型参数的确定

确定TDDB模型参数通常需要进行实验测试。常见的实验方法包括：

恒定电压应力测试在恒定电压下对器件进行老化测试，记录不同温度下的击穿时间。通过拟合实验数据，可以确定模型中的参数A、Ea和m

恒定电流应力测试在恒定电流下对器件进行老化测试，记录不同温度下的击穿时间。通过拟合实验数据，可以确定模型中的参数A、Ea和m

脉冲电压应力测试通过施加不同脉冲电压和频率对器件进行老化测试，记录击穿时间。通过拟合实验数据，可以确定模型中的参数A、Ea和m

模型的适用范围

不同的TDDB模型适用于不同的材料和器件。例如：

Arrhenius模型适用于高温下的击穿现象。

Eyring模型适用于考虑量子隧穿效应的击穿现象。

Mori-Tanaka模型适用于考虑微观缺陷的击穿现象。

TDDB寿命预测

数据处理与分析

在进行TDDB寿命预测时，需要对实验数据进行处理和分析。常见的数据处理方法包括：

线性回归将实验数据进行对数变换，然后进行线性回归分析，以确定模型参数。

最小二乘法利用最小二乘法拟合实验数据，以获得最优化的模型参数。

非线性回归对于复杂的TDDB模型，可以使用非线性回归方法进行参数拟合。

代码示例：线性回归分析

以下是一个使用Python进行线性回归分析的示例，假设我们已经收集了不同温度和电压下的击穿时间数据。

importnumpyasnp

importmatplotlib.pyplotasplt

fromscipy.optimizeimportcurve_fit

#实验数据

data={

temperature:[300,350,400,450,500],#温度，单位：K

voltage:[5,7,9,11,13],#电压，单位：V

breakdown_time:[1000,500,250,125,62.5]#击穿时间，单位：小时

}

#数据转换

T=np.array(data[temperature])

V=np.array(data[voltage])

t_b=np.array(data[breakdown_time])

#对数变换

log_t_b=np.log(t_b)

log_T=np.log(T)

log_V=np.log(V)

#定义线性回归模型

deflinear_model(x,a,b,c):

returna+b*x[0]+c*x[1]

#初始参数猜测

initial_guess=[1,1,1]

#拟合数据

params,_=curve_fit(linear_model,(log_T,log_V),log_t_b,p0=initial_guess)

#拟合结果

A=np.exp(params[0])

E_a=params[1]*k

m=params[2]

#输出拟合参数

print(f拟合参数A:{A})

print(f拟合参数E_a:{E_a})

print(f