半导体物理基础：半导体材料特性_5.半导体的电导率.docxVIP

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5.半导体的电导率

5.1电导率的基本概念

电导率是描述材料导电能力的重要参数，定义为单位截面积下，单位长度材料在单位电场作用下通过的电流。数学上，电导率σ可以表示为：

σ

其中ρ是电阻率。在半导体中，电导率主要由载流子（电子和空穴）的浓度和迁移率决定。载流子的浓度决定了单位体积内可以参与导电的粒子数量，而迁移率则反映了这些载流子在外电场作用下的移动能力。

5.2载流子浓度的影响

在半导体中，载流子浓度是影响电导率的主要因素之一。对于本征半导体，载流子浓度主要由温度决定，而对掺杂半导体，载流子浓度还受到掺杂浓度的影响。本征半导体中的载流子浓度ni

n

其中：-Nc是有效状态密度-T是绝对温度-T0是参考温度-Eg是带隙能量-

5.2.1本征半导体的载流子浓度

在本征半导体中，电子和空穴的浓度相等，即n=

5.2.2掺杂半导体的载流子浓度

对于掺杂半导体，载流子浓度主要由掺杂剂的浓度决定。例如，对于n型半导体，主要载流子是电子，其浓度n近似等于施主掺杂剂的浓度ND。对于p型半导体，主要载流子是空穴，其浓度p近似等于受主掺杂剂的浓度N

5.3载流子迁移率的影响

载流子迁移率μ是描述载流子在外电场作用下的移动能力的参数。迁移率越大，载流子在外电场作用下的速度越快，从而电导率也越高。载流子迁移率受到多种因素的影响，包括温度、杂质浓度、晶格缺陷等。

5.3.1温度对迁移率的影响

温度对迁移率的影响主要体现在两个方面：1.晶格散射：随着温度的升高，晶格振动加剧，导致载流子与晶格的散射增多，迁移率降低。2.杂质散射：温度对杂质散射的影响较小，但在低温下，杂质散射成为主要散射机制，迁移率也受其影响。

5.3.2杂质浓度对迁移率的影响

在掺杂半导体中，杂质浓度对迁移率的影响显著。随着杂质浓度的增加，载流子与杂质的散射增多，迁移率降低。这一效应在高掺杂浓度下尤为明显。

5.4电导率的计算

电导率σ可以通过以下公式计算：

σ

其中：-q是电子电荷-n是电子浓度-μn是电子迁移率-p是空穴浓度-μp

5.4.1本征半导体的电导率

对于本征半导体，电子和空穴的浓度相等，即n=

σ

5.4.2掺杂半导体的电导率

对于n型掺杂半导体，主要载流子是电子，其电导率可以表示为：

σ

对于p型掺杂半导体，主要载流子是空穴，其电导率可以表示为：

σ

5.5电导率的测量

电导率的测量通常通过四探针法进行。四探针法可以有效排除接触电阻的影响，从而准确测量材料的电导率。

5.5.1四探针法的原理

四探针法的基本原理是通过四个探针（两个电流探针和两个电压探针）来测量样品的电阻。电流探针用于注入电流，电压探针用于测量电压降。通过测量电压和电流，可以计算出样品的电阻率和电导率。

5.5.2四探针法的测量步骤

样品准备：将半导体样品制备成标准尺寸，确保表面平整。

探针放置：将四个探针均匀放置在样品表面，确保探针与样品接触良好。

注入电流：通过电流探针注入恒定电流I。

测量电压：通过电压探针测量样品两端的电压降V。

计算电阻率：根据测量的电压和电流，计算样品的电阻率ρ。

计算电导率：根据电阻率ρ，计算电导率σ。

5.6电导率的温度依赖性

半导体的电导率随温度的变化而变化。对于本征半导体，电导率随温度的升高而增加，而对于掺杂半导体，电导率在一定范围内随温度的升高而增加，但超过一定温度后，电导率会因迁移率的降低而减少。

5.6.1本征半导体的温度依赖性

本征半导体的电导率σi随温度T

σ

5.6.2掺杂半导体的温度依赖性

对于n型掺杂半导体，电导率σn随温度T

σ

对于p型掺杂半导体，电导率σp随温度T

σ

5.7电导率的仿真模拟

在电子科学与技术领域，仿真模拟是研究半导体材料特性的有效工具。通过仿真软件，可以模拟不同条件下的电导率变化，从而更好地理解半导体材料的行为。

5.7.1仿真软件介绍

常用的仿真软件包括SilvacoAtlas、SentaurusDevice等。这些软件提供了丰富的物理模型和数值方法，可以模拟半导体器件的电导率、迁移率等特性。

5.7.2仿真示例

5.7.2.1本征半导体电导率的仿真

使用SilvacoAtlas软件，可以模拟本征半导体的电导率随温度的变化。以下是一个简单的仿真示例：

#导入SilvacoAtlas库

fromsilvaco.atlasimportatlas

#定义材料参数

Nc=2.8e19#有效状态密度(cm^-3)

T0=300#参考温度(K)

Eg=1.12#带