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半导体器件可靠性分析：电迁移分析_（13）.电迁移与其他可靠性机制的相互作用.docx

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    电迁移与其他可靠性机制的相互作用

    在分析半导体器件的可靠性时，电迁移（Electromigration,EM）并不是孤立存在的现象。它与其他可靠性机制之间存在复杂的相互作用，这些相互作用在器件的设计、制造和应用中起着至关重要的作用。本节将详细探讨电迁移与其他可靠性机制之间的相互作用，包括热效应、应力、化学反应等，并提供具体的仿真模拟例子。

    1.电迁移与热效应

    电迁移过程中，电流通过金属互连层时会产生焦耳热，这会导致金属线温度的升高。高温不仅会加速电迁移过程，还会加剧其他热相关可靠性问题，如热载流子注入（HotCarrierInjection,H

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